恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司關文豪獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利集成晶體管器件及形成其的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112599523B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911347415.5，技術領域涉及：H10D84/82；該發明授權集成晶體管器件及形成其的方法是由關文豪;姚福偉;蔡俊琳;余俊磊;張庭輔設計研發完成，并于2019-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成晶體管器件及形成其的方法在說明書摘要公布了：在一些實施例中，本公開涉及一種集成晶體管器件及形成其的方法，所述集成晶體管器件包含布置在襯底上方的第一勢壘層。另外，未摻雜層可以布置在第一勢壘層上方且具有橫向緊接p溝道器件區的n溝道器件區。未摻雜層的n溝道器件區具有最頂部表面，所述最頂部表面高于未摻雜層的p溝道器件區的最頂部表面。集成晶體管器件可更包括未摻雜層的n溝道器件區上方的第二勢壘層。第一柵極電極布置在第二勢壘層上方，且第二柵極電極布置在未摻雜層的p溝道器件區上方。本公開提供了防止形成寄生溝道，進而產生可靠的集成晶體管器件。
本發明授權集成晶體管器件及形成其的方法在權利要求書中公布了：1.一種集成晶體管器件，包括：第一勢壘層，布置在襯底上方；未摻雜層，布置在所述第一勢壘層上方，其中所述未摻雜層具有橫向緊接p溝道器件區的n溝道器件區，其中所述未摻雜層的所述n溝道器件區具有最頂部表面，所述最頂部表面高于所述未摻雜層的所述p溝道器件區的最頂部表面；第二勢壘層，在所述未摻雜層的所述n溝道器件區上方；第一柵極電極，布置在所述第二勢壘層上方；以及第二柵極電極，布置在所述未摻雜層的所述p溝道器件區上方。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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