恭喜江西乾照光電有限公司滕龍獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜江西乾照光電有限公司申請的專利一種LED外延片及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111009599B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010002935.9，技術領域涉及：H10H20/819；該發明授權一種LED外延片及其制備方法是由滕龍;霍麗艷;吳洪浩;劉兆設計研發完成，并于2020-01-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種LED外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種LED外延片及其制備方法，包括：提供襯底；對所述襯底進行加熱，并采用氮化氣體對所述襯底進行氮化處理，以在所述襯底表面形成翹曲控制層，其中所述氮化氣體至少包括氨氣；在所述翹曲控制層表面依次形成N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層。對襯底進行加熱，并采用氮化氣體對襯底進行氮化處理，使得氨氣與襯底表面的一些化學鍵結合，形成晶格常數介于襯底和半導體層中間的物質即翹曲控制層，減少襯底和半導體層之間因晶格失配產生的壓應力或張應力，進而減小和改變LED外延片的翹曲，提高LED外延片的波長均勻性，提高LED外延片的良率，節約后續形成的LED芯片的分選成本。
本發明授權一種LED外延片及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種LED外延片的制備方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底為PSS鍍AlN襯底或藍寶石襯底；對所述襯底進行加熱，并采用氮化氣體對所述襯底進行氮化處理，其中所述氮化氣體至少包括氨氣，使得氨氣與所述襯底表面的化學鍵結合，以在所述襯底表面形成翹曲控制層；在所述翹曲控制層表面依次形成N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層，所述翹曲控制層的晶格常數介于所述襯底的晶體常數和所述N型半導體層的晶格常數之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西乾照光電有限公司，其通訊地址為：330103 江西省南昌市新建區望城新區寧遠大街1288號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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