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龍圖騰網恭喜株洲中車時代半導體有限公司申請的專利一種晶閘管芯片、晶閘管及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112071906B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010675829.7，技術領域涉及：H10D18/00；該發明授權一種晶閘管芯片、晶閘管及其制作方法是由王東東;操國宏;王政英;姚震洋;高軍;銀登杰;郭潤慶;劉軍設計研發完成，并于2020-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種晶閘管芯片、晶閘管及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種晶閘管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于陽極P型層之上的N型基區及P型基區；位于所述P型基區上表面內的陰極N型區；位于所述陰極發射N型區之上的陰極金屬；位于所述P型基區表面之上放大門極金屬及中心門極金屬；位于門極陰極金屬之間指定厚度的介質薄膜層；及所述陽極P型層之下的陽極金屬。本發明無需對成熟的晶閘管設計、工藝更改，不影響晶閘管各參數，能提高耐受didt的能力，有利于提升晶閘管性能，延長使用壽命。

本發明授權一種晶閘管芯片、晶閘管及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種晶閘管芯片，其特征在于，包括：位于陽極P型層之上的N型基區，且位于所述N型基區之上的P型基區；位于所述P型基區部分區域內且上表面與所述P型基區上表面齊平的陰極N型區，其中所述陰極N型區包括陰極發射N型區和在平行于P型基區表面方向上更靠近所述芯片中心的門極N型區；位于所述陰極發射N型區之上且顯露部分所述陰極發射N型區上表面的陰極金屬；位于所述P型基區表面之上且同時與所述P型基區和所述門極N型區接觸的放大門極金屬，及位于所述P型基區上表面之上且不與所述門極N型區接觸的中心門極金屬；位于未被陰極金屬、放大門極金屬和中心門極金屬覆蓋的P型基區之上指定厚度的介質薄膜層；所述介質薄膜層厚度遠小于所述放大門極金屬和所述陰極金屬厚度；所述介質薄膜層的指定厚度設置為20～500nm；所述介質薄膜層包括DLC薄膜；及所述陽極P型層之下的陽極金屬；所述陽極P型層、所述N型基區、所述P型基區以及所述陰極N型區均為半導體材料硅。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株洲中車時代半導體有限公司，其通訊地址為：412001 湖南省株洲市石峰區田心高科園半導體三線辦公大樓三樓309室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。