恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王楠獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112542506B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-07-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910899412.6，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體器件及其形成方法是由王楠設計研發完成，并于2019-09-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其形成方法，其形成方法包括：提供襯底，襯底上形成有鰭部，鰭部包括密集區和稀疏區；在襯底上形成橫跨鰭部的柵極結構和源漏摻雜層，源漏摻雜層位于柵極結構兩側的鰭部內；在襯底上形成介質層，介質層覆蓋柵極結構的頂部；在稀疏區的柵極結構一側的介質層內形成第一通孔，第一通孔的底部暴露出柵極結構的頂部側壁。本發明由于形成的第一通孔的深度變淺，后續在第一通孔內填充的金屬層時，能夠在第一通孔內填充金屬層的體積量減少，從而使得柵極結構與源漏摻雜層連接處產生的寄生電容得到減少，使得形成的半導體器件的使用性能和質量得到提高，使用的靈敏度得到提升。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底上形成有鰭部，所述鰭部包括密集區和稀疏區，所述稀疏區位于相鄰所述密集區之間； 在所述襯底上形成橫跨所述鰭部的柵極結構和源漏摻雜層，所述源漏摻雜層位于所述柵極結構兩側的所述鰭部內； 在所述襯底上形成介質層，所述介質層覆蓋所述柵極結構的頂部； 在所述稀疏區的所述柵極結構一側的所述介質層內形成第一通孔，所述第一通孔的底部暴露出所述柵極結構的頂部側壁和部分所述介質層，所述第一通孔用于填充金屬層，以連接所述稀疏區兩側的所述鰭部內的所述源漏摻雜層，實現所述源漏摻雜層連接處之間的電連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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