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龍圖騰網(wǎng)恭喜華中科技大學(xué)申請(qǐng)的專利一種對(duì)稱布局的全橋型功率模塊獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114121910B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010888707.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L25/07；該發(fā)明授權(quán)一種對(duì)稱布局的全橋型功率模塊是由陳材;呂堅(jiān)瑋;黃志召;劉新民;康勇設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-08-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種對(duì)稱布局的全橋型功率模塊在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種對(duì)稱布局的全橋型功率模塊，其中功率芯片構(gòu)成全橋電路拓?fù)涞乃膫€(gè)橋臂；構(gòu)成兩個(gè)上橋臂的功率芯片背面均焊接在絕緣基板的正極金屬層上，正面通過(guò)鍵合線與絕緣基板的相應(yīng)金屬層連接；構(gòu)成兩個(gè)下橋臂的功率芯片背面焊接在絕緣基板的兩塊交流極金屬層上，正面通過(guò)鍵合線與絕緣基板相應(yīng)金屬層連接，其開關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路采用開爾文連接。該功率模塊在將開關(guān)管芯片去掉僅保留二極管芯片后，可實(shí)現(xiàn)全橋整流電路拓?fù)洹１景l(fā)明通過(guò)對(duì)銅層、功率器件和端子的布局設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)半橋支路之間的對(duì)稱以及同一半橋支路的兩個(gè)換流回路之間的對(duì)稱，且實(shí)現(xiàn)了較小的寄生電感值，降低關(guān)斷過(guò)壓和開關(guān)振蕩。

本發(fā)明授權(quán)一種對(duì)稱布局的全橋型功率模塊在權(quán)利要求書中公布了：1.一種對(duì)稱布局的全橋型功率模塊，包括絕緣基板、功率芯片和端子，其特征在于，兩個(gè)半橋支路之間空間對(duì)稱，同一半橋支路中兩個(gè)換流回路之間空間對(duì)稱；其中，所述絕緣基板的上表面金屬層包括：正極金屬層，負(fù)極金屬層，第一交流電極金屬層，第二交流電極金屬層，以及用于驅(qū)動(dòng)信號(hào)連接的各銅層；第一交流電極金屬層、負(fù)極金屬層和第二交流電極金屬層均設(shè)置于正極金屬層的一側(cè)且縱向上依次排列；負(fù)極金屬層和正極金屬層的中軸線重合，且第一交流電極金屬層和第二交流電極金屬層關(guān)于所述中軸線對(duì)稱；兩個(gè)半橋支路上橋臂功率芯片分設(shè)于所述正極金屬層的中軸線的兩側(cè)，每一側(cè)功率芯片內(nèi)的開關(guān)管芯片和二極管芯片縱向排列，開關(guān)管芯片位于外側(cè)，二極管芯片位于內(nèi)側(cè)；兩個(gè)半橋支路下橋臂功率芯片分設(shè)于所述第一交流電極金屬層和所述第二交流電極金屬層，每側(cè)功率芯片內(nèi)的開關(guān)管芯片和二極管芯片橫向排列，開關(guān)管芯片位于外側(cè)，二極管芯片位于內(nèi)側(cè)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人華中科技大學(xué)，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。