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龍圖騰網恭喜華中科技大學申請的專利一種對稱布局的全橋型功率模塊獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121910B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010888707.6，技術領域涉及：H01L25/07；該發明授權一種對稱布局的全橋型功率模塊是由陳材;呂堅瑋;黃志召;劉新民;康勇設計研發完成，并于2020-08-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種對稱布局的全橋型功率模塊在說明書摘要公布了：本發明屬于功率半導體器件技術領域，具體公開了一種對稱布局的全橋型功率模塊，其中功率芯片構成全橋電路拓撲的四個橋臂；構成兩個上橋臂的功率芯片背面均焊接在絕緣基板的正極金屬層上，正面通過鍵合線與絕緣基板的相應金屬層連接；構成兩個下橋臂的功率芯片背面焊接在絕緣基板的兩塊交流極金屬層上，正面通過鍵合線與絕緣基板相應金屬層連接，其開關管驅動電路采用開爾文連接。該功率模塊在將開關管芯片去掉僅保留二極管芯片后，可實現全橋整流電路拓撲。本發明通過對銅層、功率器件和端子的布局設計，實現了兩個半橋支路之間的對稱以及同一半橋支路的兩個換流回路之間的對稱，且實現了較小的寄生電感值，降低關斷過壓和開關振蕩。

本發明授權一種對稱布局的全橋型功率模塊在權利要求書中公布了：1.一種對稱布局的全橋型功率模塊，包括絕緣基板、功率芯片和端子，其特征在于，兩個半橋支路之間空間對稱，同一半橋支路中兩個換流回路之間空間對稱；其中，所述絕緣基板的上表面金屬層包括：正極金屬層，負極金屬層，第一交流電極金屬層，第二交流電極金屬層，以及用于驅動信號連接的各銅層；第一交流電極金屬層、負極金屬層和第二交流電極金屬層均設置于正極金屬層的一側且縱向上依次排列；負極金屬層和正極金屬層的中軸線重合，且第一交流電極金屬層和第二交流電極金屬層關于所述中軸線對稱；兩個半橋支路上橋臂功率芯片分設于所述正極金屬層的中軸線的兩側，每一側功率芯片內的開關管芯片和二極管芯片縱向排列，開關管芯片位于外側，二極管芯片位于內側；兩個半橋支路下橋臂功率芯片分設于所述第一交流電極金屬層和所述第二交流電極金屬層，每側功率芯片內的開關管芯片和二極管芯片橫向排列，開關管芯片位于外側，二極管芯片位于內側。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。