恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司楊奇翰獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113270428B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010904590.6，技術領域涉及：H10D86/80；該發明授權半導體器件及其形成方法是由楊奇翰設計研發完成，并于2020-09-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明實施例提供一種半導體器件及其形成方法，半導體器件包含電容器和電阻器。電容器包含：第一板；設置在第一板上方的電容器介電層；以及設置在電容器介電層上方的第二板。電阻器包含薄膜。電阻器的薄膜和電容器的第一板由相同導電材料形成，且是定義于單一圖案化工藝中。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：電阻器，設置在襯底上方且包括上覆有電阻器介電層的薄膜；電容器，設置在所述襯底上方且包括：第一板；電容器介電層，設置在所述第一板上方；以及第二板，設置在所述電容器介電層上方；第一富含Si的介電材料，具有多個硅納米晶體且設置在所述薄膜和所述第一板下方；以及第二富含Si的介電材料，具有多個硅納米晶體且設置在所述薄膜和所述第二板上方；其中所述電阻器的所述薄膜和所述電容器的所述第一板包括相同導電材料且在單一圖案化工藝中被定義，其中所述第一板和所述電容器介電層具有第一寬度，且所述第二板具有第二寬度，所述第一寬度大于所述第二寬度，其中所述薄膜和所述第一板各自具有第一厚度，且所述電阻器介電層和所述電容器介電層各自具有第二厚度，所述第一厚度和所述第二厚度的比率在0.2到0.25。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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