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龍圖騰網(wǎng)恭喜半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN112768525B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011126263.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/65；該發(fā)明授權(quán)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管是由C·C·馬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-10-20向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明題為“橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管”。在一般方面，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS晶體管可包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；設(shè)置在該襯底中的第二導(dǎo)電類型的埋入式阱區(qū)；設(shè)置在該埋入式阱區(qū)上的該第一導(dǎo)電類型的主體區(qū)、設(shè)置在該主體區(qū)中的該第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)、設(shè)置在該漂移區(qū)中的該第二導(dǎo)電類型的漏極注入物；設(shè)置在該主體區(qū)中的該第二導(dǎo)電類型的源極注入物；以及設(shè)置在該漂移區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)。該柵極結(jié)構(gòu)可包括：包括RESURF介電層的場(chǎng)板；柵極介電層；和柵極電極，該柵極電極設(shè)置在該場(chǎng)板和該柵極介電層上。LDMOS晶體管還可包括漏極觸點(diǎn)，該漏極觸點(diǎn)延伸穿過(guò)該場(chǎng)板并限定與該漏極注入物的歐姆觸點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在權(quán)利要求書中公布了：1.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS晶體管，所述橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；第二導(dǎo)電類型的埋入式阱區(qū)，所述埋入式阱區(qū)設(shè)置在所述襯底中，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反；所述第一導(dǎo)電類型的主體區(qū)，所述主體區(qū)設(shè)置在所述埋入式阱區(qū)上；所述第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，所述漂移區(qū)設(shè)置在所述主體區(qū)中；所述第二導(dǎo)電類型的漏極注入物，所述漏極注入物設(shè)置在所述漂移區(qū)中；所述第二導(dǎo)電類型的源極注入物，所述源極注入物設(shè)置在所述主體區(qū)中；柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述漂移區(qū)上，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：場(chǎng)板，所述場(chǎng)板包括RESURF介電層；柵極介電層；和柵極電極，所述柵極電極設(shè)置在所述場(chǎng)板和所述柵極介電層上；以及漏極觸點(diǎn)，所述漏極觸點(diǎn)延伸穿過(guò)所述場(chǎng)板并且限定與所述漏極注入物的歐姆觸點(diǎn)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司，其通訊地址為：美國(guó)亞利桑那；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。