恭喜半導體元件工業有限責任公司C·C·馬獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜半導體元件工業有限責任公司申請的專利橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112768525B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011126263.9，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管是由C·C·馬設計研發完成，并于2020-10-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在說明書摘要公布了：本發明題為“橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管”。在一般方面，橫向擴散金屬氧化物半導體LDMOS晶體管可包括：第一導電類型的襯底；設置在該襯底中的第二導電類型的埋入式阱區；設置在該埋入式阱區上的該第一導電類型的主體區、設置在該主體區中的該第二導電類型的漂移區、設置在該漂移區中的該第二導電類型的漏極注入物；設置在該主體區中的該第二導電類型的源極注入物；以及設置在該漂移區上的柵極結構。該柵極結構可包括：包括RESURF介電層的場板；柵極介電層；和柵極電極，該柵極電極設置在該場板和該柵極介電層上。LDMOS晶體管還可包括漏極觸點，該漏極觸點延伸穿過該場板并限定與該漏極注入物的歐姆觸點。
本發明授權橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在權利要求書中公布了：1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體LDMOS晶體管，所述橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管包括：第一導電類型的襯底；第二導電類型的埋入式阱區，所述埋入式阱區設置在所述襯底中，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反；所述第一導電類型的主體區，所述主體區設置在所述埋入式阱區上；所述第二導電類型的漂移區，所述漂移區設置在所述主體區中；所述第二導電類型的漏極注入物，所述漏極注入物設置在所述漂移區中；所述第二導電類型的源極注入物，所述源極注入物設置在所述主體區中；柵極結構，所述柵極結構設置在所述漂移區上，所述柵極結構包括：場板，所述場板包括RESURF介電層；柵極介電層；和柵極電極，所述柵極電極設置在所述場板和所述柵極介電層上；以及漏極觸點，所述漏極觸點延伸穿過所述場板并且限定與所述漏極注入物的歐姆觸點。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人半導體元件工業有限責任公司，其通訊地址為：美國亞利桑那；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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