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龍圖騰網(wǎng)恭喜戴森技術(shù)有限公司申請的專利濺射沉積獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114902371B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080090902.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01J37/32；該發(fā)明授權(quán)濺射沉積是由M.倫達(dá)爾;R.格魯爾設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-11-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本濺射沉積在說明書摘要公布了：一種濺射沉積設(shè)備，包括：布置為支撐基底的基底支撐組件；布置為支撐至少一個濺射靶的靶支撐組件，該濺射靶用于靶材料到基底上的濺射沉積；布置成為所述濺射沉積提供等離子體的等離子體生成裝置；以及布置為容納在所述濺射沉積之后具有沉積的靶材料的基底的盒。盒可從濺射沉積設(shè)備中移出。

本發(fā)明授權(quán)濺射沉積在權(quán)利要求書中公布了：1.一種濺射沉積設(shè)備，包括：基底支撐組件，布置成支撐基底；靶支撐組件，布置成支撐至少一個濺射靶，該至少一個濺射靶用于將靶材料濺射沉積到所述基底上；等離子體生成裝置，布置成提供用于所述濺射沉積的等離子體；以及盒，布置成在所述濺射沉積之后容納具有沉積的靶材料的基底，所述盒還包括所述靶支撐組件和所述至少一個濺射靶，其中在濺射沉積之后，盒可從所述濺射沉積設(shè)備移除，在移除時，移除包括靶支撐組件、至少一個濺射靶和具有沉積的靶材料的基底的盒。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人戴森技術(shù)有限公司，其通訊地址為：英國威爾特郡；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。