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恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司莊學理獲國家專利權

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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利存儲器器件及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN113206122B

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110083887.5,技術領域涉及:H10B61/00;該發明授權存儲器器件及其制造方法是由莊學理;王宏烵;陳勝昌;黃勝煌設計研發完成,并于2021-01-21向國家知識產權局提交的專利申請。

存儲器器件及其制造方法在說明書摘要公布了:本公開的各種實施例針對一種存儲器器件及其制造方法,所述存儲器器件包括在側向上包圍存儲單元的保護性側壁間隔壁層。上部層間介電ILD層上覆在襯底之上。存儲單元設置在上部ILD層內。存儲單元包括頂部電極、底部電極及設置在頂部電極與底部電極之間的磁隧道結MTJ結構。側壁間隔壁結構在側向上環繞存儲單元。側壁間隔壁結構包括第一側壁間隔壁層、第二側壁間隔壁層及保護性側壁間隔壁層。第一側壁間隔壁層及第二側壁間隔壁層包含第一材料,且保護性側壁間隔壁層包含與第一材料不同的第二材料。導電走線上覆在第一存儲單元之上。導電走線接觸頂部電極及保護性側壁間隔壁層。

本發明授權存儲器器件及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種存儲器器件,其特征在于包括:上部層間介電層,上覆在襯底;第一存儲單元,設置在所述上部層間介電層內,其中所述第一存儲單元包括頂部電極、底部電極及設置在所述頂部電極與所述底部電極之間的磁隧道結結構;側壁間隔壁結構,在側向上環繞所述第一存儲單元,其中所述側壁間隔壁結構包括第一側壁間隔壁層、第二側壁間隔壁層及設置在所述第一側壁間隔壁層與所述第二側壁間隔壁層之間的保護性側壁間隔壁層,其中所述第一側壁間隔壁層及所述第二側壁間隔壁層包含第一材料,且所述保護性側壁間隔壁層包含與所述第一材料不同的第二材料;以及導電走線,上覆在所述第一存儲單元,其中所述導電走線直接接觸所述頂部電極的頂表面,直接接觸所述保護性側壁間隔壁層的頂表面,且直接接觸所述第二側壁間隔壁層,所述保護性側壁間隔壁層設置在所述底部電極的頂表面與所述第二側壁間隔壁層的下表面之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司,其通訊地址為:中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。

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