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龍圖騰網恭喜艾克塞利斯科技公司申請的專利使用電荷剝離機制的離子注入系統中金屬污染控制的裝置和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115053321B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180012915.2，技術領域涉及：H01J37/317；該發明授權使用電荷剝離機制的離子注入系統中金屬污染控制的裝置和方法是由卡森·任;舒·佐藤;吉尼斯·博納克斯;威廉·賓茨設計研發完成，并于2021-02-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本使用電荷剝離機制的離子注入系統中金屬污染控制的裝置和方法在說明書摘要公布了：一種用于將高電荷態離子注入到工件中同時減輕痕量金屬污染的方法包括從離子源中的所需物質產生處于第一電荷狀態的所需離子，以及在第一離子束中產生污染物質的痕量金屬離子。所需離子和痕量金屬離子的荷質比相等。從離子源中提取所需離子和痕量金屬離子。從所需離子中剝離至少一個電子以限定處于第二電荷狀態的所需離子和痕量金屬離子的第二離子束。僅來自第二離子束的所需離子選擇性地僅穿過電荷選擇器以限定處于第二電荷狀態的所需離子的最終離子束并且沒有痕量金屬離子，并且將第二電荷狀態的所需離子注入到工件中。

本發明授權使用電荷剝離機制的離子注入系統中金屬污染控制的裝置和方法在權利要求書中公布了：1.一種離子注入系統，包括：離子源，配置成產生所需物質的所需離子和污染物質的痕量金屬離子，其中所述所需物質的所需離子處于第一電荷狀態，并且其中所述所需離子和所述痕量金屬離子的荷質比相等，其中當所述第一電荷狀態的所述所需離子包括75As3+離子時，所述痕量金屬離子包括50Ti2+離子，而當所述第一電荷狀態的所述所需離子包括75As4+離子時，所述痕量金屬離子包括56Fe3+離子；提取裝置，配置成從所述離子源中提取所述所需離子和痕量金屬離子以限定第一離子束；質量分析器，配置成從所述第一離子束中選擇所述所需離子和痕量金屬離子，從而限定經質量分析的離子束；加速器，配置成將所述經質量分析的離子束從第一能量加速到第二能量；電荷剝離裝置，配置成從所述所需離子剝離至少一個電子，從而限定包含處于第二電荷狀態的所述所需離子和所述痕量金屬離子的第二離子束；和電荷選擇器，位于所述電荷剝離裝置的下游，其中所述電荷選擇器配置成選擇性地僅使處于所述第二電荷狀態的所述所需離子穿過，從而限定包括處于所述第二電荷狀態的所述所需離子而不包括痕量金屬離子的最終離子束。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人艾克塞利斯科技公司，其通訊地址為：美國馬薩諸塞州比佛利市櫻桃山大道108號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。