恭喜通威太陽能(成都)有限公司;通威太陽能(合肥)有限公司;通威太陽能(金堂)有限公司;通威太陽能(眉山)有限公司;通威太陽能(安徽)有限公司王錦樂獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜通威太陽能(成都)有限公司;通威太陽能(合肥)有限公司;通威太陽能(金堂)有限公司;通威太陽能(眉山)有限公司;通威太陽能(安徽)有限公司申請的專利一種高效硅異質結太陽能電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112802910B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110175285.2，技術領域涉及：H10F77/30；該發明授權一種高效硅異質結太陽能電池及其制備方法是由王錦樂;肖俊峰設計研發完成，并于2021-02-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高效硅異質結太陽能電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高效硅異質結太陽能電池及其制備方法，屬于太陽能電池技術領域。本發明的電池N型晶體硅片的正面依次設置薄層SiO2層、氫化非晶碳氧化硅薄膜層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜N型層、TCO導電層和電極；背面依次設置薄層SiO2層、氫化非晶碳氧化硅薄膜層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜P型層、TCO導電層和電極。非晶硅摻雜P型層包括輕摻B非晶硅層和重摻B非晶硅層。本發明以氫化非晶碳氧化硅薄膜作為本征鈍化層的異質結太陽電池，實現對晶硅表面優良的鈍化效果，減少界面載流子復合；同時采用改進的雙擴B工藝，防止B2H6摻雜時B原子向本征非晶硅層擴散帶來的禁帶寬度的降低和不必要的鈍化膜摻雜，提升硅異質結電池的轉換效率。
本發明授權一種高效硅異質結太陽能電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種高效硅異質結太陽能電池，包括N型晶體硅片1，其特征在于：所述N型晶體硅片1的正面依次設置第二薄層SiO2層301、第二氫化非晶碳氧化硅薄膜層302、第二C摻雜SiO2層303、非晶硅摻雜N型層、第二TCO導電層7和第二電極9；所述N型晶體硅片1的背面依次設置第一薄層SiO2層201、第一氫化非晶碳氧化硅薄膜層202、第一C摻雜SiO2層203、非晶硅摻雜P型層、第一TCO導電層6和第一電極8；所述的薄層SiO2層的厚度為1-3nm；所述的氫化非晶碳氧化硅薄膜層的厚度為2-10nm，禁帶寬度為1.7-2.3eV。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人通威太陽能(成都)有限公司;通威太陽能(合肥)有限公司;通威太陽能(金堂)有限公司;通威太陽能(眉山)有限公司;通威太陽能(安徽)有限公司，其通訊地址為：610000 四川省成都市雙流區西南航空港經濟開發區工業集中發展區六期內；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號