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本一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的電池N型晶體硅片的正面依次設(shè)置薄層SiO2層、氫化非晶碳氧化硅薄膜層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜N型層、TCO導(dǎo)電層和電極；背面依次設(shè)置薄層SiO2層、氫化非晶碳氧化硅薄膜層、C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜P型層、TCO導(dǎo)電層和電極。非晶硅摻雜P型層包括輕摻B非晶硅層和重?fù)紹非晶硅層。本發(fā)明以氫化非晶碳氧化硅薄膜作為本征鈍化層的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶硅表面優(yōu)良的鈍化效果，減少界面載流子復(fù)合；同時(shí)采用改進(jìn)的雙擴(kuò)B工藝，防止B2H6摻雜時(shí)B原子向本征非晶硅層擴(kuò)散帶來(lái)的禁帶寬度的降低和不必要的鈍化膜摻雜，提升硅異質(zhì)結(jié)電池的轉(zhuǎn)換效率。

本發(fā)明授權(quán)一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅片1，其特征在于：所述N型晶體硅片1的正面依次設(shè)置第二薄層SiO2層301、第二氫化非晶碳氧化硅薄膜層302、第二C摻雜SiO2層303、非晶硅摻雜N型層、第二TCO導(dǎo)電層7和第二電極9；所述N型晶體硅片1的背面依次設(shè)置第一薄層SiO2層201、第一氫化非晶碳氧化硅薄膜層202、第一C摻雜SiO2層203、非晶硅摻雜P型層、第一TCO導(dǎo)電層6和第一電極8；所述的薄層SiO2層的厚度為1-3nm；所述的氫化非晶碳氧化硅薄膜層的厚度為2-10nm，禁帶寬度為1.7-2.3eV。

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