買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)恭喜天津工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的專利一種用于預(yù)測(cè)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器的電磁場(chǎng)聚焦區(qū)域的算法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115120885B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110322849.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：A61N2/04；該發(fā)明授權(quán)一種用于預(yù)測(cè)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器的電磁場(chǎng)聚焦區(qū)域的算法是由田磊;鄭羽設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種用于預(yù)測(cè)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器的電磁場(chǎng)聚焦區(qū)域的算法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種用于預(yù)測(cè)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器的電磁場(chǎng)聚焦區(qū)域的算法，屬于生物醫(yī)學(xué)工程領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器通入不同方向電流時(shí)，對(duì)磁場(chǎng)和和電場(chǎng)的聚焦區(qū)域進(jìn)行預(yù)測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)神經(jīng)細(xì)胞的定向刺激。步驟為：研究陣列結(jié)構(gòu)磁刺激器的理論模型，基于理論模型進(jìn)行電場(chǎng)和磁場(chǎng)強(qiáng)度的理論計(jì)算，并采用數(shù)值分析和有限元對(duì)單點(diǎn)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度和空間分布進(jìn)行驗(yàn)證；研究4×4陣列微磁刺激器中線圈S21、S22、S11和S12通入4種多向電流組合時(shí)電磁場(chǎng)空間分布特性；根據(jù)分布規(guī)律對(duì)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器通入多向電流時(shí)，電磁場(chǎng)聚焦區(qū)域進(jìn)行預(yù)測(cè)。

本發(fā)明授權(quán)一種用于預(yù)測(cè)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器的電磁場(chǎng)聚焦區(qū)域的算法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于預(yù)測(cè)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器電磁場(chǎng)聚焦區(qū)域的方法，其特征在于，包括所述4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器，由標(biāo)號(hào)為00到33的16個(gè)平面方形螺旋線圈組成，每個(gè)平面方形螺旋線圈編號(hào)為Smn，尺寸為100μm×100μm，材料為Cu，線圈的線度為2μm，匝數(shù)為8，線間距為4μm，線圈厚度為1.7μm，單線圈與單線圈的間距為2μm，方法如下：1電磁場(chǎng)計(jì)算方法對(duì)所述4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器進(jìn)行電磁場(chǎng)理論的公式推導(dǎo)，包括磁場(chǎng)和感應(yīng)電場(chǎng)的公式推導(dǎo)，其中：磁場(chǎng)B的計(jì)算公式為： 其中，r＝x，y，z是空間某點(diǎn)坐標(biāo)，rmn為線圈Smn在3維空間中坐標(biāo)，Bmn為線圈Smn通入電流Imn產(chǎn)生的電場(chǎng)；感應(yīng)電場(chǎng)E的計(jì)算公式為： 其中，r＝x，y，z是空間某點(diǎn)坐標(biāo)，rmn為線圈Smn在3維空間中坐標(biāo)，Emn為線圈Smn通入電流Imn產(chǎn)生的感應(yīng)電場(chǎng)；2分析電磁場(chǎng)空間分布特性對(duì)所述4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器進(jìn)行電磁場(chǎng)分布特性的研究，包括同向電流的電磁場(chǎng)分布特性，通入電流大小均為25mA，70kHz的正弦信號(hào)，其中：對(duì)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器中的S30線圈通入順時(shí)針方向電流，磁場(chǎng)的聚焦區(qū)域集中在線圈中心位置，電場(chǎng)的聚焦區(qū)域集中在線圈的四周，電場(chǎng)強(qiáng)度最大值為183.64mVm，平均電場(chǎng)強(qiáng)度為84.95mVm，超過73mVm的數(shù)據(jù)占71.79％；對(duì)4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器中16個(gè)線圈同時(shí)通入順時(shí)針方向電流，磁場(chǎng)的聚焦區(qū)域集中在線圈中心位置，單線圈和單線圈的相鄰處；電場(chǎng)的聚焦區(qū)域集中在單線圈的四周、單線圈和單線圈的相鄰處；電場(chǎng)強(qiáng)度最大值為614.7mVm，平均電場(chǎng)強(qiáng)度為122.82mVm，超過73mVm的數(shù)據(jù)占84.39％；3電磁場(chǎng)空間分布的預(yù)測(cè)對(duì)所述4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器通入多向電流進(jìn)行電磁場(chǎng)空間分布特性預(yù)測(cè)，通入電流大小均為25mA，70kHz的正弦信號(hào)，方法如下：對(duì)所述4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器分別通入I、II、III|、IV方向電流，其中①電流方向?yàn)镮時(shí)，電磁場(chǎng)分布規(guī)律為：線圈相鄰處磁場(chǎng)強(qiáng)度明顯增強(qiáng)，單線圈的最外層的四周區(qū)域電場(chǎng)強(qiáng)度明顯增強(qiáng)；②電流方向?yàn)镮I時(shí)，電磁場(chǎng)分布規(guī)律為：線圈相鄰處磁場(chǎng)強(qiáng)度明顯減弱，單線圈的最外層的四周區(qū)域電場(chǎng)強(qiáng)度明顯減弱；③電流方向?yàn)镮II、IV時(shí)，電磁場(chǎng)分布規(guī)律為：相鄰兩線圈通入電流方向相同時(shí)，線圈相鄰處磁場(chǎng)強(qiáng)度和電場(chǎng)強(qiáng)度增強(qiáng)，相鄰兩線圈通入電流方向相反時(shí)，兩線圈相鄰處磁場(chǎng)強(qiáng)度和電場(chǎng)強(qiáng)度減弱；根據(jù)上述規(guī)律，對(duì)所述4×4陣列結(jié)構(gòu)微磁刺激器通入多向電流進(jìn)行電磁場(chǎng)分布特性預(yù)測(cè)，在通電線圈的區(qū)域面積內(nèi)，磁場(chǎng)的聚焦區(qū)域面積為21160um2，與預(yù)測(cè)的磁場(chǎng)聚焦區(qū)域位置和面積一致；感應(yīng)電場(chǎng)的聚焦區(qū)域面積為9010um2，未能準(zhǔn)確預(yù)測(cè)出面積610um2，電場(chǎng)聚焦區(qū)域預(yù)測(cè)準(zhǔn)確率為93.22％。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人天津工業(yè)大學(xué)，其通訊地址為：300387 天津市西青區(qū)賓水西道399號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。