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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113161320B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110384428.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/528；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法是由陳國(guó)儒;黃俊賢;劉書豪;陳亮吟;張惠政;楊育佳設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-04-09向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本公開涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。一種半導(dǎo)體器件包括：第一電介質(zhì)層，設(shè)置在襯底和導(dǎo)電特征之上；摻雜電介質(zhì)層，設(shè)置在第一電介質(zhì)層之上；第一金屬部分，設(shè)置在第一電介質(zhì)層中并與導(dǎo)電特征接觸；以及摻雜金屬部分，設(shè)置在第一金屬部分之上。第一金屬部分和摻雜金屬部分包括相同的貴金屬材料。摻雜電介質(zhì)層和摻雜金屬部分包括相同的摻雜劑。摻雜劑被鍵合到該貴金屬材料。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括：第一電介質(zhì)層，設(shè)置在襯底和導(dǎo)電特征之上；摻雜電介質(zhì)層，設(shè)置在所述第一電介質(zhì)層之上；第一金屬部分，設(shè)置在所述第一電介質(zhì)層中并與所述導(dǎo)電特征接觸；以及摻雜金屬部分，設(shè)置在所述第一金屬部分之上，其中，所述第一金屬部分和所述摻雜金屬部分包括相同的貴金屬材料，所述摻雜電介質(zhì)層和所述摻雜金屬部分包括相同的摻雜劑，其中，所述摻雜劑被鍵合到所述摻雜金屬部分中的貴金屬材料，并且所述摻雜劑的在所述摻雜金屬部分中的分布曲線的峰值在接近所述摻雜金屬部分的中部的位置。

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