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龍圖騰網恭喜中國電子產品可靠性與環境試驗研究所((工業和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實驗室))申請的專利碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管結殼熱阻測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114563675B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110428993.2，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管結殼熱阻測試方法是由付志偉;侯波;陳思;周斌;王之哲;楊曉鋒;黃云;施宜軍;梁振堂;徐及樂設計研發完成，并于2021-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管結殼熱阻測試方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管結殼熱阻測試方法，包括對碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通電測試，獲取所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的偏置電壓；在所述偏置電壓條件下，測試所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管源極和漏極之間的電壓Vsd與溫度數據，獲得所述電壓Vsd與溫度的函數關系；結合所述函數關系，采用瞬態雙界面法測試獲取所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的降溫時間數據；根據所述降溫時間數據，計算獲得碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的結殼熱阻。本公開有助于消除MOSFET降溫測試曲線單調性的影響，提高了SiCMOSFET熱阻測量的精確度。

本發明授權碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管結殼熱阻測試方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管結殼熱阻測試方法，其特征在于，包括：對碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管進行通電測試，獲取所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的偏置電壓；在所述偏置電壓條件下，測試所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管源極和漏極之間的電壓Vsd與溫度數據，獲得所述電壓Vsd與溫度的函數關系；結合所述函數關系，采用瞬態雙界面法測試獲取所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的降溫時間數據；根據所述降溫時間數據，計算獲得碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的結殼熱阻，其中，對碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通電測試，獲取所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的偏置電壓包括：在所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極和源極之間加載固定負壓Vgs，在漏極和源極之間加載負脈沖電壓Vds；繪制不同負壓Vgs條件下的所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管源極和漏極的Ids-Vds特性曲線；選取所述Ids-Vds特性曲線中多條曲線重合時，負壓Vgs的絕對值為最小值時的負壓Vgs作為所述偏置電壓，所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管安裝于測試夾具，且所述碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管的源極和漏極采用開爾文連接；所述負脈沖電壓Vds的脈沖占空比小于等于0.5%。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子產品可靠性與環境試驗研究所((工業和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實驗室))，其通訊地址為：511300 廣東省廣州市增城區朱村街朱村大道西78號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。