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龍圖騰網恭喜中芯南方集成電路制造有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115274557B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110483903.X，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體結構的形成方法是由王瑜杰設計研發完成，并于2021-04-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括基底、鰭部、以及隔離層，所述隔離層位于相鄰鰭部之間，且所述隔離層表面低于所述鰭部頂面；在所述隔離層上形成若干相互分立的柵結構，所述柵結構橫跨所述鰭部的頂面和側壁面；在所述柵結構兩側的鰭部內形成源漏開口；采用第一選擇性外延生長工藝，在所述源漏開口的內壁面形成緩沖層；在形成所述緩沖層后，對所述柵結構表面進行第一回刻蝕；采用第二選擇性外延生長工藝，在所述源漏開口內的緩沖層表面形成體層；在形成所述體層后，對所述柵結構表面進行第二回刻蝕；在所述第二回刻蝕后，在所述體層表面形成蓋層。從而在提高半導體結構的生產效率的同時，提高半導體結構的可靠性。

本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底包括基底、位于所述基底上的若干相互分立的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，所述隔離層還位于相鄰鰭部之間，且所述隔離層表面低于所述鰭部頂面；在所述隔離層上形成若干相互分立的柵結構，所述柵結構橫跨所述鰭部的頂面和側壁面；在所述柵結構兩側的鰭部內形成源漏開口；采用第一選擇性外延生長工藝，在所述源漏開口的內壁面形成緩沖層；在形成所述緩沖層后且在形成體層前，對所述柵結構表面進行第一回刻蝕，以去除所述柵結構表面的緩沖層缺陷種子；采用第二選擇性外延生長工藝，在所述源漏開口內的緩沖層表面形成體層；在形成所述體層后，對所述柵結構表面進行第二回刻蝕，以去除所述柵結構表面的體層缺陷種子；在所述第二回刻蝕后，在所述體層表面形成蓋層；在所述第一選擇性外延生長的工藝中，同時進行所述緩沖層材料的生長以及緩沖層的材料刻蝕；在所述第二選擇性外延生長的工藝中，同時進行所述體層材料的生長以及體層的材料刻蝕。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯南方集成電路制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號3號樓5樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。