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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113845083B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111098479.3，技術領域涉及：B81B7/02；該發明授權一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法是由高程武;張大成;楊芳;程壘健;余潤澤;李鳳陽;王旭峰;華璇卿;劉鵬設計研發完成，并于2021-09-18向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法，屬于微電子機械系統傳感器設計領域。本發明提出具有懸空硅壓阻納米線結構的硅應變膜，壓敏電阻分別懸空排布于應變膜邊緣與梁凸臺之間、中心凸臺與梁凸臺之間，極大提高了壓阻式壓力傳感器的靈敏度；硅壓阻納米線表面熱氧化形成包覆的SiO2層，一方面可以有效減小漏電流的產生，另一方面，熱氧化可以壓阻的濃度分布更加均勻；SiO2Si3N4作為KOH腐蝕工藝的掩膜對KOH腐蝕工藝中的K+的阻擋特性較好，加工的器件具有較高的可靠性；采用了硅玻璃陽極鍵合工藝，其中玻璃對壓力感應膜起到了應力緩沖的作用，提高了傳感器在后續封裝和測試中的穩定性。

本發明授權一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器，其特征在于，包括硅應變膜、壓敏電阻、重摻雜連接線、金屬引線和玻璃底座；硅應變膜由硅襯底制成，其正面含有位于中心的一個中心凸臺、位于中心凸臺外側的關于中心對稱的四個梁凸臺結構以及圍繞在梁凸臺外側的硅應變膜邊緣；壓敏電阻為懸空硅壓阻納米線，懸掛于硅應變膜邊緣與每個梁凸臺之間和中心凸臺與每個梁凸臺之間，懸掛于硅應變膜邊緣與每個梁凸臺之間的為壓敏電阻R1，懸掛于中心凸臺與每個梁凸臺之間的為壓敏電阻R2；重摻雜連接線為懸空硅重摻雜連接線，懸掛于應變膜邊緣與梁凸臺之間；金屬引線設置于中心凸臺、每個梁凸臺和硅應變膜邊緣的正面，與重摻雜連接線在硅應變膜的正面形成歐姆接觸；玻璃底座為與硅應變膜的背面進行鍵合的帶孔玻璃；其中，壓敏電阻R1的靠近梁凸臺的一端，通過梁凸臺上的金屬引線與壓敏電阻R2的靠近梁凸臺的一端連接；壓敏電阻R1的靠近梁凸臺的一端和壓敏電阻R2的靠近梁凸臺的一端，共同通過梁凸臺上的金屬引線、重摻雜連接線、硅應變膜邊緣上的金屬引線，分別與電壓輸入端Vin、零電壓輸入端0、高電壓輸出端Vout+、低電壓輸出端Vout-連接；連接電壓輸入端Vin和低電壓輸出端Vout-的兩個壓敏電阻R1，其靠近硅應變膜邊緣的一端通過硅應變膜邊緣上的金屬引線相互連接；連接零電壓輸入端0和高電壓輸出端Vout+的兩個壓敏電阻R1，其靠近硅應變膜邊緣的一端通過硅應變膜邊緣上的金屬引線相互連接；連接電壓輸入端Vin和高電壓輸出端Vout+的兩個壓敏電阻R2，其靠近中心凸臺的一端通過位于中心凸臺上的金屬引線相互連接；連接零電壓輸入端0和低電壓輸出端Vout-的兩個壓敏電阻R2，其靠近中心凸臺的一端通過位于中心凸臺上的金屬引線相互連接。

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