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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京大學(xué)申請的專利一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113845083B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111098479.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B81B7/02；該發(fā)明授權(quán)一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法是由高程武;張大成;楊芳;程壘健;余潤澤;李鳳陽;王旭峰;華璇卿;劉鵬設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-09-18向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法，屬于微電子機械系統(tǒng)傳感器設(shè)計領(lǐng)域。本發(fā)明提出具有懸空硅壓阻納米線結(jié)構(gòu)的硅應(yīng)變膜，壓敏電阻分別懸空排布于應(yīng)變膜邊緣與梁凸臺之間、中心凸臺與梁凸臺之間，極大提高了壓阻式壓力傳感器的靈敏度；硅壓阻納米線表面熱氧化形成包覆的SiO2層，一方面可以有效減小漏電流的產(chǎn)生，另一方面，熱氧化可以壓阻的濃度分布更加均勻；SiO2Si3N4作為KOH腐蝕工藝的掩膜對KOH腐蝕工藝中的K+的阻擋特性較好，加工的器件具有較高的可靠性；采用了硅玻璃陽極鍵合工藝，其中玻璃對壓力感應(yīng)膜起到了應(yīng)力緩沖的作用，提高了傳感器在后續(xù)封裝和測試中的穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種硅基納米線壓阻式壓力傳感器，其特征在于，包括硅應(yīng)變膜、壓敏電阻、重摻雜連接線、金屬引線和玻璃底座；硅應(yīng)變膜由硅襯底制成，其正面含有位于中心的一個中心凸臺、位于中心凸臺外側(cè)的關(guān)于中心對稱的四個梁凸臺結(jié)構(gòu)以及圍繞在梁凸臺外側(cè)的硅應(yīng)變膜邊緣；壓敏電阻為懸空硅壓阻納米線，懸掛于硅應(yīng)變膜邊緣與每個梁凸臺之間和中心凸臺與每個梁凸臺之間，懸掛于硅應(yīng)變膜邊緣與每個梁凸臺之間的為壓敏電阻R1，懸掛于中心凸臺與每個梁凸臺之間的為壓敏電阻R2；重摻雜連接線為懸空硅重摻雜連接線，懸掛于應(yīng)變膜邊緣與梁凸臺之間；金屬引線設(shè)置于中心凸臺、每個梁凸臺和硅應(yīng)變膜邊緣的正面，與重摻雜連接線在硅應(yīng)變膜的正面形成歐姆接觸；玻璃底座為與硅應(yīng)變膜的背面進行鍵合的帶孔玻璃；其中，壓敏電阻R1的靠近梁凸臺的一端，通過梁凸臺上的金屬引線與壓敏電阻R2的靠近梁凸臺的一端連接；壓敏電阻R1的靠近梁凸臺的一端和壓敏電阻R2的靠近梁凸臺的一端，共同通過梁凸臺上的金屬引線、重摻雜連接線、硅應(yīng)變膜邊緣上的金屬引線，分別與電壓輸入端Vin、零電壓輸入端0、高電壓輸出端Vout+、低電壓輸出端Vout-連接；連接電壓輸入端Vin和低電壓輸出端Vout-的兩個壓敏電阻R1，其靠近硅應(yīng)變膜邊緣的一端通過硅應(yīng)變膜邊緣上的金屬引線相互連接；連接零電壓輸入端0和高電壓輸出端Vout+的兩個壓敏電阻R1，其靠近硅應(yīng)變膜邊緣的一端通過硅應(yīng)變膜邊緣上的金屬引線相互連接；連接電壓輸入端Vin和高電壓輸出端Vout+的兩個壓敏電阻R2，其靠近中心凸臺的一端通過位于中心凸臺上的金屬引線相互連接；連接零電壓輸入端0和低電壓輸出端Vout-的兩個壓敏電阻R2，其靠近中心凸臺的一端通過位于中心凸臺上的金屬引線相互連接。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人北京大學(xué)，其通訊地址為：100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號北京大學(xué)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。