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龍圖騰網恭喜珠海寶豐堂半導體股份有限公司申請的專利等離子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113797725B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111220975.1，技術領域涉及：B01D53/32；該發明授權等離子設備是由呂尚億;梁冠雄;丁雪苗;趙芝強;趙公魄設計研發完成，并于2021-10-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本等離子設備在說明書摘要公布了：本發明涉及一種等離子設備，等離子設備包括等離子發生組件、氣流引導結構及進氣組件，等離子發生組件包括兩個等離子電極。兩個間隔設置的等離子電極形成等離子腔，以使等離子腔能夠形成等離子場。當進氣組件通過進氣口進氣至等離子腔內，實現氣體在等離子腔內的電離，形成等離子氣體。由于氣流引導結構設置于進氣口處，氣流引導結構上的分流孔與等離子腔連通，進而進氣組件通過氣流引導結構進氣至等離子腔內時，需要經過分流孔的引流。利用氣流引導結構上的分流孔，實現對進氣組件噴出的氣流的引導引流作用，進而便于使得氣流通過分流孔后能夠更加均勻地分布于等離子腔內，提高等離子體的產生效率，進而提高等離子體處理的效率。

本發明授權等離子設備在權利要求書中公布了：1.一種等離子設備，其特征在于，所述等離子設備包括：等離子發生組件，所述等離子發生組件包括兩個等離子電極，兩個所述等離子電極間隔設置，且兩個所述等離子電極之間的空間形成為等離子腔，兩個所述等離子電極的一側邊之間的間隔形成與所述等離子腔連通的進氣口；氣流引導結構，所述氣流引導結構上開設有至少兩個分流孔，各個所述分流孔間隔設置，所述氣流引導結構設置于所述進氣口處，以使所述分流孔與所述等離子腔連通；進氣組件，所述進氣組件設置于所述氣流引導結構背向于所述等離子腔的一側，所述進氣組件能夠通過所述分流孔進氣至所述等離子腔；還包括置料框架，所述置料框架設置于所述等離子腔內并與所述等離子電極間隔設置，所述置料框架內形成有置料插槽，所述置料插槽貫穿所述置料框架朝向所述進氣口的一側形成連通口，所述氣流引導結構設置于所述置料框架的連通口上，并覆蓋所述連通口，以使所述分流孔與所述置料插槽連通；其中，等離子電極為板狀結構，兩個等離子電極的板面相對間隔，形成扁盒狀的等離子腔；進氣口形成于兩個等離子電極的一側邊處；氣流引導結構為條狀結構，氣流引導結構的長邊與等離子電極相對，便于氣流引導結構與等離子電極間隔；氣流達到氣流引導結構背向于等離子腔的一側時，以使氣流能夠分成三個部分，其中兩個部分的氣流通過氣流引導結構與等離子電極兩側的間隙進入等離子腔內，待處理工件設置于等離子腔，以使該兩部分氣流分布位于待處理工件相背對兩側，而另一部分通過分流孔進入到等離子腔，該部分氣流能夠均勻擴散至待處理工件相背對的兩表面上，進一步均勻待處理工件的相背對兩表面上的氣流的均勻程度。

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