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龍圖騰網(wǎng)恭喜豪威科技股份有限公司申請的專利圖像傳感器及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114664872B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111232336.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)圖像傳感器及其制造方法是由文成烈設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-10-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本圖像傳感器及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開涉及一種圖像傳感器及其制造方法。公開一種用于高清晰度HD圖像傳感器的像素陣列。所述像素陣列包含數(shù)個分裂像素單元，每一分裂像素單元包含第一光電二極管及比所述第一光電二極管對入射光更敏感的第二光電二極管。所述第一光電二極管可用于感測明亮或高強(qiáng)度光條件，而所述第二光電二極管可用于感測低到中強(qiáng)度光條件。在所述所公開像素陣列中，通過在每一分裂像素單元的所述第一光電二極管上方施加光衰減層來降低一或多個光電二極管的敏感度。根據(jù)本公開的方法，可在形成金屬光學(xué)隔離柵格結(jié)構(gòu)之前形成所述光衰減層。這可能導(dǎo)致更好地控制所述光衰減層的厚度及均勻性。

本發(fā)明授權(quán)圖像傳感器及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種分裂像素單元，其包括：半導(dǎo)體襯底，其具有光接收表面；第一光電二極管，其經(jīng)安置在所述半導(dǎo)體襯底中且能夠響應(yīng)于入射光而光生圖像電荷；第二光電二極管，其鄰近所述第一光電二極管安置在所述半導(dǎo)體襯底中，所述第二光電二極管能夠響應(yīng)于所述入射光而光生圖像電荷，其中所述第二光電二極管比所述第一光電二極管對所述入射光更敏感；第一光學(xué)隔離柵格區(qū)段及第二光學(xué)隔離柵格區(qū)段，其經(jīng)安置在所述半導(dǎo)體襯底的所述光接收表面上，包圍所述第一光電二極管的曝光區(qū)域，所述第一光學(xué)隔離柵格區(qū)段及所述第二光學(xué)隔離柵格區(qū)段具有面向所述入射光的頂表面，以及內(nèi)側(cè)壁及外側(cè)壁；光衰減層，其鄰近所述第一光學(xué)隔離柵格區(qū)段及所述第二光學(xué)隔離柵格區(qū)段的所述內(nèi)側(cè)壁安置且與所述第一光電二極管光學(xué)對準(zhǔn)，其中所述第一光學(xué)隔離柵格區(qū)段及所述第二光學(xué)隔離柵格區(qū)段直接延伸至所述光衰減層附近、部分延伸穿過所述光衰減層、或完全延伸穿過所述光衰減層，使得所述光衰減層在結(jié)構(gòu)上與所述第一光學(xué)隔離柵格區(qū)段及所述第二光學(xué)隔離柵格區(qū)段連接，覆蓋所述第一光電二極管的所述曝光區(qū)域；及勢壘膜，其直接安置在所述第一光學(xué)隔離柵格區(qū)段及所述第二光學(xué)隔離柵格區(qū)段的所述內(nèi)側(cè)壁和底表面上，其中所述勢壘膜至少部分地安置于所述光衰減層與所述第一光學(xué)隔離柵格區(qū)段及所述第二光學(xué)隔離柵格區(qū)段的所述內(nèi)側(cè)壁之間，其中所述光衰減層是直接接觸所述勢壘膜的平面層。

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