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龍圖騰網(wǎng)恭喜華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司申請(qǐng)的專利分柵閃存器件及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114023757B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111239220.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B43/30；該發(fā)明授權(quán)分柵閃存器件及其制造方法是由許昭昭設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本分柵閃存器件及其制造方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種分柵閃存器件及其制造方法，其中制造方法包括以下步驟：制作電荷俘獲介質(zhì)層；將第一目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的電荷俘獲介質(zhì)層刻蝕去除，第一目標(biāo)區(qū)域?yàn)榕c柵極的中部區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域。本發(fā)明提供一種新的2?bitcell的電荷俘獲型分柵閃存器件結(jié)構(gòu)及其自制造工藝，與現(xiàn)有技術(shù)的NROM不同的是，該結(jié)構(gòu)在柵極的正中間將電荷俘獲介質(zhì)層自對(duì)準(zhǔn)刻蝕去除，可避免兩個(gè)Bit之間的存儲(chǔ)的電荷在電場(chǎng)作用下的橫向移動(dòng)帶來(lái)的干擾，引入選擇柵器件使得器件可以容忍過(guò)擦除操作，此外，該工藝是自對(duì)準(zhǔn)工藝，可以進(jìn)一步減小閃存單元的面積，同時(shí)不受光刻工藝的限制。

本發(fā)明授權(quán)分柵閃存器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種分柵閃存器件的制造方法，其特征在于，所述分柵閃存器件包括二比特單元分柵閃存器件，所述制造方法包括以下步驟：制作形成第一氧化硅層，在所述第一氧化硅層的上方制作形成第一氮化硅層，所述第一氧化硅層為底部柵介質(zhì)層，所述第一氮化硅層為電荷俘獲介質(zhì)層；將第一目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的所述電荷俘獲介質(zhì)層刻蝕去除，所述第一目標(biāo)區(qū)域?yàn)榕c柵極的中部區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域，包括以下步驟：S11、在所述第一氮化硅層的上方依次制作形成第二氧化硅層、第二氮化硅層；S12、將第二目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二氮化硅層刻蝕去除，所述第二目標(biāo)區(qū)域?yàn)殚W存單元區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域，所述第二目標(biāo)區(qū)域的寬度大于所述第一目標(biāo)區(qū)域的寬度；S13、在與所述第二目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二氧化硅層的上方沉積多晶硅層并進(jìn)行各項(xiàng)異性刻蝕以形成多晶硅側(cè)墻；S14、以所述多晶硅側(cè)墻為掩膜自對(duì)準(zhǔn)依次對(duì)所述第一目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二氧化硅層、所述第一氮化硅層進(jìn)行刻蝕；S15、以所述第二氮化硅層、所述第二氧化硅層、所述第一氮化硅層、所述第一氧化硅層為停止層刻蝕去除多晶硅側(cè)墻。

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