華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司許昭昭獲國(guó)家專(zhuān)利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利分柵閃存器件及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114023757B 。
龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為:202111239220.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B43/30;該發(fā)明授權(quán)分柵閃存器件及其制造方法是由許昭昭設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-10-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。
本分柵閃存器件及其制造方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了:本發(fā)明提供一種分柵閃存器件及其制造方法,其中制造方法包括以下步驟:制作電荷俘獲介質(zhì)層;將第一目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的電荷俘獲介質(zhì)層刻蝕去除,第一目標(biāo)區(qū)域?yàn)榕c柵極的中部區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域。本發(fā)明提供一種新的2?bitcell的電荷俘獲型分柵閃存器件結(jié)構(gòu)及其自制造工藝,與現(xiàn)有技術(shù)的NROM不同的是,該結(jié)構(gòu)在柵極的正中間將電荷俘獲介質(zhì)層自對(duì)準(zhǔn)刻蝕去除,可避免兩個(gè)Bit之間的存儲(chǔ)的電荷在電場(chǎng)作用下的橫向移動(dòng)帶來(lái)的干擾,引入選擇柵器件使得器件可以容忍過(guò)擦除操作,此外,該工藝是自對(duì)準(zhǔn)工藝,可以進(jìn)一步減小閃存單元的面積,同時(shí)不受光刻工藝的限制。
本發(fā)明授權(quán)分柵閃存器件及其制造方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了:1.一種分柵閃存器件的制造方法,其特征在于,所述分柵閃存器件包括二比特單元分柵閃存器件,所述制造方法包括以下步驟:制作形成第一氧化硅層,在所述第一氧化硅層的上方制作形成第一氮化硅層,所述第一氧化硅層為底部柵介質(zhì)層,所述第一氮化硅層為電荷俘獲介質(zhì)層;將第一目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的所述電荷俘獲介質(zhì)層刻蝕去除,所述第一目標(biāo)區(qū)域?yàn)榕c柵極的中部區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域,包括以下步驟:S11、在所述第一氮化硅層的上方依次制作形成第二氧化硅層、第二氮化硅層;S12、將第二目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二氮化硅層刻蝕去除,所述第二目標(biāo)區(qū)域?yàn)殚W存單元區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域,所述第二目標(biāo)區(qū)域的寬度大于所述第一目標(biāo)區(qū)域的寬度;S13、在與所述第二目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二氧化硅層的上方沉積多晶硅層并進(jìn)行各項(xiàng)異性刻蝕以形成多晶硅側(cè)墻;S14、以所述多晶硅側(cè)墻為掩膜自對(duì)準(zhǔn)依次對(duì)所述第一目標(biāo)區(qū)域?qū)?yīng)的所述第二氧化硅層、所述第一氮化硅層進(jìn)行刻蝕;S15、以所述第二氮化硅層、所述第二氧化硅層、所述第一氮化硅層、所述第一氧化硅層為停止層刻蝕去除多晶硅側(cè)墻。
如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù),可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司,其通訊地址為:214028 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)新洲路30號(hào);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話(huà)0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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