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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利陣列基板及其制備方法和顯示面板獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114975488B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210751068.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D86/60；該發(fā)明授權(quán)陣列基板及其制備方法和顯示面板是由陳遠(yuǎn)鵬;請(qǐng)求不公布姓名設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本陣列基板及其制備方法和顯示面板在說(shuō)明書摘要公布了：本申請(qǐng)公開了一種陣列基板及其制備方法和顯示面板，陣列基板包括襯底、金屬氧化物有源部、柵絕緣部、柵極、層間介質(zhì)層和源漏極，金屬氧化物有源部設(shè)置于襯底上，金屬氧化物有源部包括同層且連接的半導(dǎo)體部和導(dǎo)通部，導(dǎo)通部的厚度小于半導(dǎo)體部的厚度，柵絕緣部設(shè)置于金屬氧化物有源部遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，且與半導(dǎo)體部對(duì)應(yīng)設(shè)置，柵極設(shè)置于柵絕緣部遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，柵極與半導(dǎo)體部對(duì)應(yīng)設(shè)置，層間介質(zhì)層覆蓋于襯底、金屬氧化物有源部、柵絕緣部以及柵極上，源漏極設(shè)置于層間介質(zhì)層上，并與導(dǎo)通部連接。因?qū)ú康暮穸冉档停沟脤?dǎo)通部中的載流子數(shù)量降低，降低載流子向半導(dǎo)體部的擴(kuò)散距離，改善晶體管的閾值電壓負(fù)偏的情況，從而提高陣列基板的性能。

本發(fā)明授權(quán)陣列基板及其制備方法和顯示面板在權(quán)利要求書中公布了：1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底；金屬氧化物有源部，所述金屬氧化物有源部設(shè)置于所述襯底上，所述金屬氧化物有源部包括同層且連接的半導(dǎo)體部和導(dǎo)通部，所述導(dǎo)通部位于所述半導(dǎo)體部?jī)蓚?cè)，所述導(dǎo)通部的厚度小于所述半導(dǎo)體部的厚度，所述導(dǎo)通部包括同層且連接的第一分部和第二分部，所述第一分部的厚度小于所述第二分部的厚度，所述第一分部和所述第二分部圍設(shè)形成凹槽，源漏極位于所述凹槽中，且所述第一分部以及所述第二分部均與所述源漏極連接；柵絕緣部，所述柵絕緣部設(shè)置于所述金屬氧化物有源部遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且與所述半導(dǎo)體部對(duì)應(yīng)設(shè)置；柵極，所述柵極設(shè)置于所述柵絕緣部遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述柵極與所述半導(dǎo)體部對(duì)應(yīng)設(shè)置；層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋于所述襯底、所述金屬氧化物有源部、所述柵絕緣部以及所述柵極上；以及源漏極，所述源漏極設(shè)置于所述層間介質(zhì)層上，并與所述導(dǎo)通部連接。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，其通訊地址為：518132 廣東省深圳市光明新區(qū)公明街道塘明大道9-2號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。