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龍圖騰網恭喜河北工業大學申請的專利單驅動控制的串聯SiC MOSFET直流固態斷路器及配電系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115133506B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210874781.1，技術領域涉及：H02H7/26；該發明授權單驅動控制的串聯SiC MOSFET直流固態斷路器及配電系統是由辛振;岳遠省;薛聚;陳建良設計研發完成，并于2022-07-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本單驅動控制的串聯SiC MOSFET直流固態斷路器及配電系統在說明書摘要公布了：本發明為一種單驅動控制的串聯SiCMOSFET直流固態斷路器及配電系統，直流固態斷路器包括SiCMOSFET驅動電路、SiCMOSFET器件M1～Mn、驅動電阻Rg1～Rgn、二極管D1～Dn?1、RCD緩沖電路、壓敏電阻MOV和壓敏電阻MOVcs；SiCMOSFET驅動電路的一端與SiCMOSFET器件M1的源極連接，SiCMOSFET驅動電路的輸出端通過驅動電阻Rg1與SiCMOSFET器件M1的柵極連接；SiCMOSFET驅動電路的輸出端同時串聯有二極管D1～Dn?1，二極管D1～Dn?1通過各自的驅動電阻分別與SiCMOSFET器件M2～Mn的柵極連接；SiCMOSFET器件M2～Mn各連接一個穩壓二極管，穩壓二極管的陽極與SiCMOSFET器件的源極相連，穩壓二極管的陰極與SiCMOSFET器件的柵極相連。解決了器件的柵極振蕩問題，降低了導通損耗。

本發明授權單驅動控制的串聯SiC MOSFET直流固態斷路器及配電系統在權利要求書中公布了：1.一種單驅動控制的串聯SiCMOSFET直流固態斷路器，其特征在于，該斷路器包括SiCMOSFET驅動電路、SiCMOSFET器件M1～Mn、驅動電阻Rg1～Rgn、二極管D1～Dn-1、RCD緩沖電路、壓敏電阻MOV和壓敏電阻MOVcs；n為大于等于2的正整數；每個SiCMOSFET器件對應一個RCD緩沖電路和一個壓敏電阻MOV，壓敏電阻MOV的兩端與SiCMOSFET器件的源極和漏極連接，每個RCD緩沖電路的電容均并聯一個壓敏電阻MOVcs，壓敏電阻MOV和壓敏電阻MOVcs的型號相同；上一個SiCMOSFET器件的漏極和下一個SiCMOSFET器件的源極連接，實現SiCMOSFET器件M1～Mn的串聯；SiCMOSFET驅動電路的一端與SiCMOSFET器件M1的源極連接，SiCMOSFET驅動電路的輸出端通過驅動電阻Rg1與SiCMOSFET器件M1的柵極連接；SiCMOSFET驅動電路的輸出端同時串聯有二極管D1～Dn-1，二極管D1～Dn-1通過各自的驅動電阻分別與SiCMOSFET器件M2～Mn的柵極連接；SiCMOSFET器件M2～Mn各連接一個穩壓二極管，穩壓二極管的陽極與SiCMOSFET器件的源極相連，穩壓二極管的陰極與SiCMOSFET器件的柵極相連；所述RCD緩沖電路包括二極管DS、電容CS和電阻RS；二極管DS與電阻Rs并聯，二極管DS的陰極與電容Cs的一端連接，電容Cs的另一端與對應SiCMOSFET器件的源極連接，壓敏電阻MOVcs并聯在電容Cs的兩端；上一個RCD緩沖電路的二極管DS的陽極與下一個SiCMOSFET器件的柵極連接，最后一個RCD緩沖電路的二極管DS的陽極與對應SiCMOSFET器件的漏極連接。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人河北工業大學，其通訊地址為：300401 天津市北辰區西平道5340號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。