恭喜華中科技大學方海生獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜華中科技大學申請的專利一種用于多元素復合薄膜制備的磁控靶及濺射方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115821220B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211522481.3，技術領域涉及：C23C14/34；該發明授權一種用于多元素復合薄膜制備的磁控靶及濺射方法是由方海生;安巧如;陳浩設計研發完成，并于2022-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于多元素復合薄膜制備的磁控靶及濺射方法在說明書摘要公布了：本發明屬于磁控濺射薄膜沉積相關技術領域，其公開了一種用于多元素復合薄膜制備的磁控靶及濺射方法，磁控靶包括多元素拼接靶、冷卻水系統及磁控系統，冷卻水系統設置在多元素拼接靶與磁控系統之間；冷卻水系統包括冷卻水道及磁屏蔽百葉，磁屏蔽百葉設置在冷卻水道內，其用于對多元素拼接靶的靶面進行選擇性地磁屏蔽；磁屏蔽百葉與多元素拼接靶的位置相對應，且磁屏蔽百葉能夠相對于冷卻水道旋轉及伸縮；磁控靶通過磁屏蔽百葉的旋轉及伸縮來控制多元素拼接靶的靶面各個區域的磁場強弱，進而調節多元素拼接靶的各個區域相應元素的濺射強度。本發明實現了單個靶臺同時或輪流濺射多種元素，解決了單個磁控靶無法制備復合材料和多層膜的問題。
本發明授權一種用于多元素復合薄膜制備的磁控靶及濺射方法在權利要求書中公布了：1.一種用于多元素復合薄膜制備的磁控靶，其特征在于：所述磁控靶包括多元素拼接靶、冷卻水系統及磁控系統，所述冷卻水系統設置在所述多元素拼接靶與所述磁控系統之間；所述冷卻水系統包括冷卻水道及磁屏蔽百葉，所述磁屏蔽百葉設置在所述冷卻水道內，其用于對多元素拼接靶的靶面進行選擇性地磁屏蔽；所述磁屏蔽百葉與所述多元素拼接靶的位置相對應，且所述磁屏蔽百葉能夠相對于所述冷卻水道旋轉及伸縮；所述磁控靶通過所述磁屏蔽百葉的旋轉及伸縮來控制所述多元素拼接靶的靶面各個區域的磁場強弱，進而調節所述多元素拼接靶的各個區域相應元素的濺射強度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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