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龍圖騰網恭喜利晶微電子技術(江蘇)有限公司申請的專利圖形化巨量轉移方法和系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117712264B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311486168.3，技術領域涉及：H10H20/85；該發明授權圖形化巨量轉移方法和系統是由蒲計志;黃立元;潘彤;王子翔設計研發完成，并于2023-11-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本圖形化巨量轉移方法和系統在說明書摘要公布了：本發明公開了一種圖形化巨量轉移方法，首先在暫時基板表面形成固化后的平整狀的膠層，排片前將膠層加工成若干陣列分布凸起狀膠層孤島，在排片時，將各芯片分別排至各凸起狀膠層孤島表面；避免線路基板發生因槽內黏膠層的牽拉力而發生翹曲形變。

本發明授權圖形化巨量轉移方法和系統在權利要求書中公布了：1.圖形化巨量轉移方法，其特征在于：首先在暫時基板表面形成固化后的平整狀的膠層1，排片前將膠層1加工成若干陣列分布凸起狀膠層孤島3，在排片時，將各芯片分別排至各凸起狀膠層孤島3表面；包括如下步驟：步驟一，在暫時基板表面采用旋轉涂布的方式均勻涂布預定厚度的膠水；步驟二，將涂布在暫時基板表面的膠水烘干，形成固化后的膠層1；步驟三，在膠層1的表面附著一層光阻劑，形成光阻劑層；步驟四，將光阻劑層烘干；步驟五，通過曝光設備對光阻劑層曝光，光阻劑層暴露在光照下的部分形成縱橫交錯曝光圖案，然后通過顯影液溶解暴露在光照部分的光阻劑層，顯影后，光阻劑層被溶解的部分形成縱橫交錯狀的顯影圖案，顯影圖案處的膠層1處于暴露狀態，最后將膠層1未被光阻劑層覆蓋的部分刻蝕；膠層被刻蝕的部分形成多條縱橫交錯的分割溝槽4，縱橫交錯的分割溝槽4將膠層1分割成若干陣列分布的凸起狀膠層孤島3，各凸起狀膠層孤島3上均覆蓋有未曝光的光阻劑層；步驟六，將各凸起狀膠層孤島3上均覆蓋的未曝光光阻劑層去除或溶解，使各凸起狀膠層孤島3表面暴露；步驟七，在陣列分布凸起狀膠層孤島3群上表面均勻噴涂膠水；在陣列分布凸起狀膠層孤島3群上表面均勻噴涂膠水的過程中，噴涂的膠水除了一部分附著在凸起狀膠層孤島3上表面，另一部分會附著在縱橫交錯的分割溝槽4底部，形成槽內黏膠層6；步驟八，半烘干各凸起狀膠層孤島3表面的剛被噴涂的膠水；步驟九，芯片排片機將若干芯片逐個排至若干凸起狀膠層孤島3表面；步驟十，將暫時基板表面有芯片的一側水平朝下，并將線路基板水平對應于暫時基板正下方，通過位移機構將暫時基板有芯片的一側與線路基板對位后壓合，與此同時加熱裝置加熱，從而使原來附著在各凸起狀膠層孤島3表面的芯片與線路基板接合，完成各芯片的焊接過程；步驟十一，位移機構控制暫時基板與線路基板分離，各芯片均與各凸起狀膠層孤島3分離；在“步驟六”與“步驟七”之間增加兩個步驟，增加的兩個步驟記為“a步驟”和“b步驟”a步驟：在暫時基板表面有凸起狀膠層孤島3的一側面涂覆揮發液體，使揮發液體剛好將所有凸起狀膠層孤島3淹沒時停止涂覆，此時縱橫交錯的分割溝槽4內被揮發液體完全填充；b步驟：靜置并輔以加熱，使“a步驟”中涂覆的揮發液體逐漸均勻揮發，各凸起狀膠層孤島3上表面覆蓋的揮發液體率先完全揮發，從而使各凸起狀膠層孤島3重新暴露；隨著揮發液的繼續揮發，縱橫交錯的分割溝槽4內的揮發液體逐漸開始揮發而變少，進而使縱橫交錯的分割溝槽4內的揮發液體的液面逐漸降低，當分割溝槽4內的揮發液體的液面降到底部，但還未完全揮發干凈時，縱橫交錯的分割溝槽4底部形成一層揮發液體隔離層5，“步驟七”在揮發液體隔離層5還未完全揮發之前執行。

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