恭喜北京大學(xué)吳恒獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京大學(xué)申請的專利堆疊晶體管的制備方法、堆疊晶體管、器件及設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN117995776B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202410057642.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D84/03;該發(fā)明授權(quán)堆疊晶體管的制備方法、堆疊晶體管、器件及設(shè)備是由吳恒;葛延棟;盧浩然;王潤聲;黎明;黃如設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-01-15向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本堆疊晶體管的制備方法、堆疊晶體管、器件及設(shè)備在說明書摘要公布了:本申請?zhí)峁┮环N堆疊晶體管的制備方法、堆疊晶體管、器件及設(shè)備,該方法包括:提供一襯底;依次刻蝕頂部襯底、中間犧牲層和底部襯底,以形成有源結(jié)構(gòu),有源結(jié)構(gòu)包括第一有源結(jié)構(gòu)和第二有源結(jié)構(gòu),刻蝕后的中間犧牲層位于第一有源結(jié)構(gòu)和第二有源結(jié)構(gòu)之間;形成間隔設(shè)置在第一有源結(jié)構(gòu)表面的第一偽柵結(jié)構(gòu)和包裹第二有源結(jié)構(gòu)的第一淺槽隔離結(jié)構(gòu);去除刻蝕后的中間犧牲層,以形成第一間隙;在第一間隙中填充絕緣材料,以形成中間介質(zhì)隔離層,中間介質(zhì)隔離層用于隔離第一有源結(jié)構(gòu)和第二有源結(jié)構(gòu);基于第一有源結(jié)構(gòu)和第二有源結(jié)構(gòu)形成第一晶體管和第二晶體管。通過本申請,可以實現(xiàn)第一有源結(jié)構(gòu)和第二有源結(jié)構(gòu)之間的電學(xué)隔離。
本發(fā)明授權(quán)堆疊晶體管的制備方法、堆疊晶體管、器件及設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了:1.一種堆疊晶體管的制備方法、其特征在于,所述方法包括:提供一襯底,所述襯底包括依次堆疊設(shè)置的頂部襯底、中間犧牲層和底部襯底;依次刻蝕所述頂部襯底、所述中間犧牲層和所述底部襯底,以形成有源結(jié)構(gòu),所述有源結(jié)構(gòu)包括第一有源結(jié)構(gòu)和第二有源結(jié)構(gòu),刻蝕后的中間犧牲層位于所述第一有源結(jié)構(gòu)和所述第二有源結(jié)構(gòu)之間;形成間隔設(shè)置在所述第一有源結(jié)構(gòu)表面的第一偽柵結(jié)構(gòu)和包裹所述第二有源結(jié)構(gòu)的第一淺槽隔離結(jié)構(gòu);去除所述刻蝕后的中間犧牲層,以形成第一間隙;在所述第一間隙中填充絕緣材料,以形成中間介質(zhì)隔離層,所述中間介質(zhì)隔離層用于隔離所述第一有源結(jié)構(gòu)和所述第二有源結(jié)構(gòu);基于所述第一有源結(jié)構(gòu)和所述第二有源結(jié)構(gòu)形成第一晶體管和第二晶體管,所述第一晶體管和所述第二晶體管在垂直于溝道的方向上自對準(zhǔn);所述形成間隔設(shè)置在所述第一有源結(jié)構(gòu)表面的第一偽柵結(jié)構(gòu)和包裹所述第二有源結(jié)構(gòu)的第一淺槽隔離結(jié)構(gòu),包括:形成包裹所述有源結(jié)構(gòu)的第二淺槽隔離結(jié)構(gòu);去除所述第二淺槽隔離結(jié)構(gòu)的一部分,以暴露所述第一有源結(jié)構(gòu)和所述刻蝕后的中間犧牲層,并形成所述第一淺槽隔離結(jié)構(gòu);基于所述第一有源結(jié)構(gòu),形成所述第一偽柵結(jié)構(gòu);所述第一偽柵結(jié)構(gòu)和所述第一淺槽隔離結(jié)構(gòu)在所述刻蝕后的中間犧牲層處連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人北京大學(xué),其通訊地址為:100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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