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龍圖騰網恭喜無錫學院申請的專利一種雙面雙結硅基GaAs光電探測器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118136712B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410130787.7，技術領域涉及：H10F10/172；該發明授權一種雙面雙結硅基GaAs光電探測器及其制備方法是由黃瑞;唐明志;闞萬譽;吳凱;徐昊;趙東;陶旭;王青;郭業才設計研發完成，并于2024-01-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種雙面雙結硅基GaAs光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種雙面雙結硅基GaAs光電探測器及其制備方法。本光電探測器包括GaAs襯底，所述GaAs襯底一側依次外延生長AlxGa1?xAs應力釋放層、GaAs吸收層、AlyGa1?yAs接觸層和叉指電極；所述GaAs襯底另一側依次外延生長絕緣層和Si薄膜層；所述Si薄膜層上設有凸起的Si脊型波導，所述Si脊型波導頂部形成有p+摻雜型Si區，靠近所述Si脊型波導兩側Si薄膜層表面形成有p++摻雜型Si區；所述p+摻雜型Si區上依次外延生長本征i?Ge吸收層和n++摻雜型Ge層。本光電探測器無干擾地異質集成硅基鍺PIN和GaAs光電探測器；本光電探測器波段寬、探測靈敏度高、體積小，適用廣泛。

本發明授權一種雙面雙結硅基GaAs光電探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種雙面雙結硅基GaAs光電探測器，其特征在于，包括GaAs襯底（1），所述GaAs襯底（1）一側依次外延生長AlxGa1-xAs應力釋放層（2）、GaAs吸收層（3）、AlyGa1-yAs接觸層（4）和叉指電極（5）；所述GaAs襯底（1）另一側外延生長絕緣層（6），所述絕緣層（6）上鍵合或轉運壓印有Si薄膜層（7）；所述Si薄膜層（7）上設有凸起的Si脊型波導（8），所述Si脊型波導（8）頂部形成有p+摻雜型Si區（9），靠近所述Si脊型波導（8）兩側Si薄膜層（7）表面分別形成有p++摻雜型Si區（71）；所述p+摻雜型Si區（9）上依次外延生長本征i-Ge吸收層（10）和n++摻雜型Ge層（11）；所述p++摻雜型Si區（71）和n++摻雜型Ge層（11）表面依次形成第一電極層（12）和第二電極層（13）；所述第一電極層（12）和第二電極層（13）均包括地極（14）和信號極（15）；所述第一電極層（12）內地極（14）與p++摻雜型Si區（71）連接，所述信號極（15）與n++摻雜型Ge層（11）連接；所述第二電極層（13）內地極（14）和信號極（15）分別與第一電極層（12）內地極（14）和信號極（15）連接；所述絕緣層（6）為0.005～10μm，所述絕緣層（6）為SiO2、Si3N4或Al2O3材料的層構件；所述AlxGa1-xAs應力釋放層（2）的厚度為0.01~20μm，其中x的取值范圍為0＜x＜1。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫學院，其通訊地址為：214105 江蘇省無錫市錫山區錫山大道333號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。