恭喜山西創芯光電科技有限公司楊海峰獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜山西創芯光電科技有限公司申請的專利一種不含鎵的銻化物半導體紅外激光器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119362155B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411478568.4，技術領域涉及：H01S5/343；該發明授權一種不含鎵的銻化物半導體紅外激光器是由楊海峰;張培峰設計研發完成，并于2024-10-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種不含鎵的銻化物半導體紅外激光器在說明書摘要公布了：本發明提供了一種不含鎵的銻化物半導體紅外激光器，屬于半導體激光器技術領域；經典的InGaAsSb?AlGaAsSbI型應變量子阱包含In、Ga、Al三種III族元素和As、Sb兩種V族元素。該結構的價帶帶階偏小，對空穴的束縛能力不強，這限制了激光器的增益和向長波長拓展的能力；包括GaSb襯底，以及在GaSb襯底上依次外延生長的下包層、下波導層、有源區、上波導層、上包層和保護層，所述下包層、上包層采用AlAsy3Sb1?y3材料，其中0.02≤y3≤0.22，所述下波導層、上波導層和有源區的量子勢壘采用與GaSb襯底匹配的Inx2Al1?x2Asy2Sb1?y2材料，其中0.4≤x2≤0.6，所述有源區的量子阱采用InAsy1Sb1?y1材料，其中0.50≤y1≤0.85；本發明應用于銻化物半導體紅外激光器。
本發明授權一種不含鎵的銻化物半導體紅外激光器在權利要求書中公布了：1.一種功能層不含鎵的銻化物半導體紅外激光器，包括GaSb襯底，以及在GaSb襯底上依次外延生長的下包層、下波導層、有源區、上波導層、上包層和保護層，其特征在于：所述下包層、上包層采用AlAsy3Sb1-y3材料，其中0.02≤y3≤0.22，所述下波導層、上波導層和有源區的量子勢壘采用與GaSb襯底匹配的Inx2Al1-x2Asy2Sb1-y2材料，其中0.4≤x2≤0.6，所述有源區的量子阱采用InAsy1Sb1-y1材料，其中0.50≤y1≤0.85。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山西創芯光電科技有限公司，其通訊地址為：030000 山西省太原市小店區南內環街16號二號廠房一層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號