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龍圖騰網恭喜深圳天狼芯半導體有限公司申請的專利具有快反向恢復的超結MOSFET及其制備方法、芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119486208B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411613760.X，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權具有快反向恢復的超結MOSFET及其制備方法、芯片是由賀俊杰設計研發完成，并于2024-11-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有快反向恢復的超結MOSFET及其制備方法、芯片在說明書摘要公布了：本申請屬于功率器件技術領域，提供了一種具有快反向恢復的超結MOSFET及其制備方法、芯片，通過設置N型漂移區上的柵極介質層呈凹形結構，并且在柵極介質層的凹槽底部形成第一多晶硅層，柵極介質層的凹槽內形成位于第一多晶硅層上的隔離層，源極層與第一N型源區、第二N型源區、第一P型基區、第二P型基區、柵極介質層以及隔離層接觸，漏極層形成于N型襯底的背面，隔離層用于在超結MOSFET反接時將源極層的電位傳遞至第一多晶硅層，使得N型漂移區內的導電溝道打開，分流反向電流，減少器件內體二極管的電流，達到減小體二極管反向恢復電流的目的。

本發明授權具有快反向恢復的超結MOSFET及其制備方法、芯片在權利要求書中公布了：1.一種具有快反向恢復的超結MOSFET，其特征在于，包括：N型襯底；第一P柱、N型漂移區、第二P柱，形成于所述N型襯底的正面；其中，所述N型漂移區位于所述第一P柱與所述第二P柱之間；第一P型基區、第二P型基區，所述第一P型基區形成于所述第一P柱上，所述第二P型基區形成于所述第二P柱上；第一N型源區、第二N型源區，所述第一N型源區位于所述第一P型基區的凹槽內，所述第二N型源區位于所述第二P型基區的凹槽內；柵極介質層、第一多晶硅層，所述柵極介質層呈凹形結構，所述柵極介質層位于所述N型漂移區上，并與所述第一P型基區、所述第二P型基區、所述第一N型源區以及所述第二N型源區的部分區域接觸，所述第一多晶硅層位于所述柵極介質層的凹槽底部；隔離層，所述隔離層位于所述柵極介質層的凹槽內，且位于所述第一多晶硅層上；所述隔離層包括N型摻雜區和P型摻雜區，所述N型摻雜區位于所述P型摻雜區與所述第一多晶硅層之間；源極層，與所述第一N型源區、所述第二N型源區、所述第一P型基區、所述第二P型基區、所述柵極介質層以及所述隔離層接觸；漏極層，形成于所述N型襯底的背面；所述隔離層用于在所述超結MOSFET反接時將所述源極層的電位傳遞至所述第一多晶硅層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳天狼芯半導體有限公司，其通訊地址為：518063 廣東省深圳市南山區粵海街道高新區社區科技南路18號深圳灣科技生態園12棟裙樓904-905；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。