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龍圖騰網(wǎng)恭喜浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司申請的專利分裂柵結(jié)構(gòu)的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119170494B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411640552.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/01；該發(fā)明授權(quán)分裂柵結(jié)構(gòu)的制備方法是由張?jiān)起┰O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-11-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本分裂柵結(jié)構(gòu)的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種分裂柵結(jié)構(gòu)的制備方法，在確保氮化硅層總厚度的前提下，將氮化硅層的制備分為兩次生長及兩次刻蝕，且在兩次刻蝕之間，對氧化硅層進(jìn)行一次干法刻蝕，以基于干法刻蝕的各向異性的特點(diǎn)可保證隔離側(cè)墻底部氧化硅層不被側(cè)掏，減小氧化硅層的窗口，降低第一柵結(jié)構(gòu)的柵氧化層被再次氧化的概率。進(jìn)一步的，在第二次氮化硅層生長之后增加氧等離子體氧化的步驟，可減少隔離側(cè)墻氮化硅層的損失，保護(hù)隔離側(cè)墻表面。

本發(fā)明授權(quán)分裂柵結(jié)構(gòu)的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種分裂柵結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：提供硅襯底；于所述硅襯底上形成第一柵結(jié)構(gòu)；于所述硅襯底上形成氧化硅層及第一氮化硅層，所述氧化硅層包覆所述第一柵結(jié)構(gòu)，且所述第一氮化硅層包覆所述氧化硅層；對所述第一氮化硅層進(jìn)行干法刻蝕，去除部分所述第一氮化硅層顯露所述氧化硅層，且保留位于所述第一柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁處的所述第一氮化硅層；對所述氧化硅層進(jìn)行干法刻蝕，以減薄所述氧化硅層；于所述硅襯底上形成第二氮化硅層，所述第二氮化硅層包覆所述氧化硅層及所述第一氮化硅層；對所述第二氮化硅層進(jìn)行干法刻蝕，去除部分所述第二氮化硅層顯露所述氧化硅層，且保留位于所述第一柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁處的所述第二氮化硅層；對所述氧化硅層進(jìn)行濕法刻蝕，顯露所述硅襯底；于所述硅襯底上形成第二柵結(jié)構(gòu)，且所述第二柵結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與所述第二氮化硅層接觸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司，其通訊地址為：311200 浙江省杭州市蕭山區(qū)寧圍街道平瀾路2118號浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心水博園區(qū)11幢4層-5層；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。