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龍圖騰網(wǎng)恭喜西湖煙山科技(杭州)有限公司申請(qǐng)的專利顯示芯片及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119181751B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411698651.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/816；該發(fā)明授權(quán)顯示芯片及其制作方法是由楊軍;孔瑋;李軍帥;謝海忠設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-11-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本顯示芯片及其制作方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示芯片及其制作方法。該顯示芯片包括至少兩個(gè)層疊設(shè)置的發(fā)光單元，發(fā)光單元包括層疊設(shè)置的N型導(dǎo)電接觸層、發(fā)光功能層和P型導(dǎo)電接觸層；在發(fā)光單元中，至少一個(gè)P型導(dǎo)電接觸層遠(yuǎn)離發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置有隧穿結(jié)；隧穿結(jié)包括層疊設(shè)置的p型摻雜層、多層鋁鎵氮插入層和n型摻雜層；其中一發(fā)光單元的N型導(dǎo)電接觸層與n型摻雜層相鄰設(shè)置，另一發(fā)光單元的P型導(dǎo)電接觸層與p型摻雜層相鄰設(shè)置；沿n型摻雜層指向p型摻雜層的方向，至少部分鋁鎵氮插入層的鋁摻雜濃度逐漸增加。提高了顯示芯片的發(fā)光效率。

本發(fā)明授權(quán)顯示芯片及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種顯示芯片，其特征在于，包括至少兩個(gè)層疊設(shè)置的發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括層疊設(shè)置的N型導(dǎo)電接觸層、發(fā)光功能層和P型導(dǎo)電接觸層；在所述發(fā)光單元中，至少一個(gè)所述P型導(dǎo)電接觸層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置有隧穿結(jié)；所述隧穿結(jié)包括層疊設(shè)置的p型摻雜層、多層鋁鎵氮插入層和n型摻雜層；其中一發(fā)光單元的N型導(dǎo)電接觸層與所述n型摻雜層相鄰設(shè)置，另一發(fā)光單元的P型導(dǎo)電接觸層與所述p型摻雜層相鄰設(shè)置；沿所述n型摻雜層指向所述p型摻雜層的方向，至少部分所述鋁鎵氮插入層的鋁摻雜濃度逐漸增加；多層所述鋁鎵氮插入層包括第一組鋁鎵氮插入層和第二組鋁鎵氮插入層，所述第一組鋁鎵氮插入層設(shè)置于所述第二組鋁鎵氮插入層靠近所述n型摻雜層的一側(cè)；沿所述n型摻雜層指向所述p型摻雜層的方向，所述第一組鋁鎵氮插入層的鋁摻雜濃度逐漸增加，所述第二組鋁鎵氮插入層的鋁摻雜濃度逐漸減小；所述第一組鋁鎵氮插入層的厚度大于所述第二組鋁鎵氮插入層的厚度。

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