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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)申請的專利適用于鉆石晶體生長的自適應(yīng)方法、裝置、系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119243331B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411776689.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C30B29/04；該發(fā)明授權(quán)適用于鉆石晶體生長的自適應(yīng)方法、裝置、系統(tǒng)是由楊柏;王亞;杜江峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-05向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本適用于鉆石晶體生長的自適應(yīng)方法、裝置、系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種適用于鉆石晶體生長的自適應(yīng)方法、裝置、系統(tǒng)，屬于晶體生長技術(shù)領(lǐng)域。適用于鉆石晶體生長的自適應(yīng)方法包括：根據(jù)鉆石晶體的預(yù)設(shè)生長目標(biāo)從鉆石工藝數(shù)據(jù)庫中確定實(shí)現(xiàn)預(yù)設(shè)生長目標(biāo)的工藝參數(shù)，并將工藝參數(shù)輸出至鉆石生長設(shè)備使鉆石樣品按照工藝參數(shù)進(jìn)行生長；從鉆石生長設(shè)備提取生長中的鉆石樣品的鉆石生長參數(shù)，并利用鉆石生長數(shù)據(jù)分析模型預(yù)測在工藝參數(shù)下的預(yù)測生長目標(biāo)；在預(yù)測生長目標(biāo)與預(yù)設(shè)生長目標(biāo)不一致的情況下，基于預(yù)測生長目標(biāo)、預(yù)設(shè)生長目標(biāo)、鉆石生長參數(shù)和工藝參數(shù)對工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，并使鉆石樣品按照調(diào)整后的工藝參數(shù)進(jìn)行生長；重復(fù)提取、預(yù)測和調(diào)整的操作，直至預(yù)測生長目標(biāo)與預(yù)設(shè)生長目標(biāo)一致。

本發(fā)明授權(quán)適用于鉆石晶體生長的自適應(yīng)方法、裝置、系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種適用于鉆石晶體生長的自適應(yīng)方法，其特征在于，所述自適應(yīng)方法包括：根據(jù)鉆石晶體的預(yù)設(shè)生長目標(biāo)，從鉆石工藝數(shù)據(jù)庫中確定適用于實(shí)現(xiàn)所述預(yù)設(shè)生長目標(biāo)的工藝參數(shù)，并將所述工藝參數(shù)輸出至鉆石生長設(shè)備，以使鉆石樣品在所述鉆石生長設(shè)備內(nèi)按照所述工藝參數(shù)進(jìn)行生長；從所述鉆石生長設(shè)備提取生長中的所述鉆石樣品在生長過程中的鉆石生長參數(shù)；根據(jù)所述鉆石生長參數(shù)，利用已經(jīng)建立的鉆石生長數(shù)據(jù)分析模型預(yù)測得到生長中的所述鉆石樣品在所述工藝參數(shù)下的預(yù)測生長目標(biāo)；在所述預(yù)測生長目標(biāo)與所述預(yù)設(shè)生長目標(biāo)不一致的情況下，基于所述預(yù)測生長目標(biāo)、所述預(yù)設(shè)生長目標(biāo)、所述鉆石生長參數(shù)和所述工藝參數(shù)，對所述工藝參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，得到適用于實(shí)現(xiàn)所述預(yù)設(shè)生長目標(biāo)的調(diào)整后的工藝參數(shù)，并將所述調(diào)整后的工藝參數(shù)輸出至所述鉆石生長設(shè)備，以使所述鉆石樣品按照所述調(diào)整后的工藝參數(shù)進(jìn)行生長；重復(fù)所述提取、所述預(yù)測和調(diào)整的操作，直至所述鉆石樣品的預(yù)測生長目標(biāo)與所述預(yù)設(shè)生長目標(biāo)相一致；其中，所述鉆石生長參數(shù)包括鉆石樣品表面的溫度和等離子體濃度中的至少一項(xiàng)。

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