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龍圖騰網恭喜北京特思迪半導體設備有限公司申請的專利半導體材料亞表面損傷層的檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119395064B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411945283.7，技術領域涉及：G01N23/2202；該發明授權半導體材料亞表面損傷層的檢測方法是由薛芳;蔣繼樂設計研發完成，并于2024-12-27向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體材料亞表面損傷層的檢測方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體材料亞表面損傷層的檢測方法，包括：在半導體材料的表面沉積保護層，保護層至少覆蓋半導體材料的損傷觀測位置；采用高能束流對半導體材料進行刻蝕并形成第一截面，第一截面的深度大于等于半導體材料的預估損傷深度；采用高能束流對第一截面拋光以形成觀測截面，拋光方向為朝向保護層的方向，損傷觀測位置的截面暴露在觀測截面上；保護層的厚度大于等于高能束流在對第一截面拋光時與半導體材料表面垂直方向上的沉積能量的分量在保護層上所產生的刻蝕深度。本發明實現了在對觀測截面進行加工的過程中，保留最原始的損傷層信息，提高觀測結果的準確性的技術效果。

本發明授權半導體材料亞表面損傷層的檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體材料亞表面損傷層的檢測方法，其特征在于，包括：在半導體材料的表面沉積保護層，所述保護層至少覆蓋所述半導體材料的損傷觀測位置；采用高能束流對所述半導體材料進行刻蝕并形成第一截面，所述第一截面的深度大于等于所述半導體材料的預估損傷深度；采用高能束流對所述半導體材料進行刻蝕并形成第一截面，包括：采用高能束流在距離所述保護層的邊緣0.1-10μm處對所述半導體材料進行刻蝕加工以形成第一截面；采用高能束流對所述第一截面拋光以形成觀測截面，拋光方向為朝向所述保護層的方向，所述損傷觀測位置的截面暴露在所述觀測截面上；所述保護層的厚度大于等于所述高能束流在對所述第一截面拋光時與半導體材料表面垂直方向上的沉積能量的分量在所述保護層上所產生的刻蝕深度；所述刻蝕深度根據如下公式確定： ； ； ；其中，為刻蝕體積系數，用來描述不同材料刻蝕過程中粒子劑量與實際刻蝕材料劑量之比，為濺射離子總通量，為入射劑量，為濺射產額，為刻蝕體積系數，描述不同材料刻蝕過程中粒子劑量與實際刻蝕材料劑量之比，M為基底材料的摩爾質量，為阿伏伽德羅常數，為基底材料密度，為材料表面加工區域微元，為材料加工計算的時間微元，為材料去除的體積。

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