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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京特思迪半導(dǎo)體設(shè)備有限公司申請的專利半導(dǎo)體材料亞表面損傷層的檢測方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119395064B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202411945283.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N23/2202；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體材料亞表面損傷層的檢測方法是由薛芳;蔣繼樂設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體材料亞表面損傷層的檢測方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體材料亞表面損傷層的檢測方法，包括：在半導(dǎo)體材料的表面沉積保護(hù)層，保護(hù)層至少覆蓋半導(dǎo)體材料的損傷觀測位置；采用高能束流對半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕并形成第一截面，第一截面的深度大于等于半導(dǎo)體材料的預(yù)估損傷深度；采用高能束流對第一截面拋光以形成觀測截面，拋光方向?yàn)槌虮Ｗo(hù)層的方向，損傷觀測位置的截面暴露在觀測截面上；保護(hù)層的厚度大于等于高能束流在對第一截面拋光時(shí)與半導(dǎo)體材料表面垂直方向上的沉積能量的分量在保護(hù)層上所產(chǎn)生的刻蝕深度。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了在對觀測截面進(jìn)行加工的過程中，保留最原始的損傷層信息，提高觀測結(jié)果的準(zhǔn)確性的技術(shù)效果。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體材料亞表面損傷層的檢測方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體材料亞表面損傷層的檢測方法，其特征在于，包括：在半導(dǎo)體材料的表面沉積保護(hù)層，所述保護(hù)層至少覆蓋所述半導(dǎo)體材料的損傷觀測位置；采用高能束流對所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕并形成第一截面，所述第一截面的深度大于等于所述半導(dǎo)體材料的預(yù)估損傷深度；采用高能束流對所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕并形成第一截面，包括：采用高能束流在距離所述保護(hù)層的邊緣0.1-10μm處對所述半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕加工以形成第一截面；采用高能束流對所述第一截面拋光以形成觀測截面，拋光方向?yàn)槌蛩霰Ｗo(hù)層的方向，所述損傷觀測位置的截面暴露在所述觀測截面上；所述保護(hù)層的厚度大于等于所述高能束流在對所述第一截面拋光時(shí)與半導(dǎo)體材料表面垂直方向上的沉積能量的分量在所述保護(hù)層上所產(chǎn)生的刻蝕深度；所述刻蝕深度根據(jù)如下公式確定： ； ； ；其中，為刻蝕體積系數(shù)，用來描述不同材料刻蝕過程中粒子劑量與實(shí)際刻蝕材料劑量之比，為濺射離子總通量，為入射劑量，為濺射產(chǎn)額，為刻蝕體積系數(shù)，描述不同材料刻蝕過程中粒子劑量與實(shí)際刻蝕材料劑量之比，M為基底材料的摩爾質(zhì)量，為阿伏伽德羅常數(shù)，為基底材料密度，為材料表面加工區(qū)域微元，為材料加工計(jì)算的時(shí)間微元，為材料去除的體積。

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