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龍圖騰網(wǎng)恭喜湖北九峰山實驗室申請的專利一種半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119486231B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510027255.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/00；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制備方法是由徐少東;李明哲;袁俊;彭若詩;朱厲陽設(shè)計研發(fā)完成，并于2025-01-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件包括：外延片，包括基底以及位于基底表面上的外延層；外延層包括依次排布的有源區(qū)和終端區(qū)；元胞結(jié)構(gòu)，位于有源區(qū)；第一多級溝槽，具有相對的第一臺階側(cè)壁和第二臺階側(cè)壁；第一臺階側(cè)壁與元胞結(jié)構(gòu)相鄰；第一多級溝槽的底部包括與第一臺階側(cè)壁相鄰的第一底部區(qū)域及與第二臺階側(cè)壁相鄰的第二底部區(qū)域；第一級場板，包括：第一介質(zhì)層，覆蓋第一多級溝槽的表面；第一場板金屬層，覆蓋位于第一臺階側(cè)壁及第一底部區(qū)域表面上的第一介質(zhì)層；第二級場板，包括：第二介質(zhì)層，至少覆蓋位于第一多級溝槽內(nèi)的第一場板金屬層以及第一介質(zhì)層；第二場板金屬層，覆蓋第二底部區(qū)域表面上的至少部分第二介質(zhì)層。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：外延片，所述外延片包括基底以及位于所述基底表面上的外延層；在第一方向上，所述外延層包括依次排布的有源區(qū)和終端區(qū)；所述第一方向平行于所述基底所在平面；元胞結(jié)構(gòu)，所述元胞結(jié)構(gòu)位于所述有源區(qū)；第一多級溝槽，所述第一多級溝槽具有相對的第一臺階側(cè)壁和第二臺階側(cè)壁；所述第一臺階側(cè)壁與所述元胞結(jié)構(gòu)相鄰；所述第一多級溝槽的底部包括與所述第一臺階側(cè)壁相鄰的第一底部區(qū)域以及與所述第二臺階側(cè)壁相鄰的第二底部區(qū)域；第一級場板，所述第一級場板包括：第一介質(zhì)層，覆蓋所述第一多級溝槽的表面；第一場板金屬層，覆蓋位于所述第一臺階側(cè)壁以及所述第一底部區(qū)域表面上的所述第一介質(zhì)層；第二級場板，所述第二級場板包括：第二介質(zhì)層，至少覆蓋位于所述第一多級溝槽內(nèi)的所述第一場板金屬層以及所述第一介質(zhì)層；第二場板金屬層，所述第二場板金屬層覆蓋所述第二底部區(qū)域表面上的至少部分所述第二介質(zhì)層，且與所述第一場板金屬層具有重疊區(qū)域；離子注入?yún)^(qū)，位于所述第一多級溝槽的底部表面內(nèi)，所述離子注入?yún)^(qū)的電阻率大于所述外延層的電阻率，或，所述離子注入?yún)^(qū)能夠集聚電子形成負(fù)電中心；所述第一多級溝槽的底部具有多個分離的所述離子注入?yún)^(qū)；在所述第一多級溝槽的底部，位于所述第一介質(zhì)層與所述第一場板金屬層的連續(xù)層疊區(qū)域下方的所述離子注入?yún)^(qū)具有第一面積占比，位于所述第一介質(zhì)層、所述第二介質(zhì)層以及所述第二場板金屬層連續(xù)層疊區(qū)域下方的所述離子注入?yún)^(qū)具有第二面積占比，所述第一面積占比大于所述第二面積占比。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)九龍湖街9號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。