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龍圖騰網恭喜湖北九峰山實驗室申請的專利一種半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119486231B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-18發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510027255.5，技術領域涉及：H10D64/00；該發明授權一種半導體器件及其制備方法是由徐少東;李明哲;袁俊;彭若詩;朱厲陽設計研發完成，并于2025-01-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導體器件及其制備方法，半導體器件包括：外延片，包括基底以及位于基底表面上的外延層；外延層包括依次排布的有源區和終端區；元胞結構，位于有源區；第一多級溝槽，具有相對的第一臺階側壁和第二臺階側壁；第一臺階側壁與元胞結構相鄰；第一多級溝槽的底部包括與第一臺階側壁相鄰的第一底部區域及與第二臺階側壁相鄰的第二底部區域；第一級場板，包括：第一介質層，覆蓋第一多級溝槽的表面；第一場板金屬層，覆蓋位于第一臺階側壁及第一底部區域表面上的第一介質層；第二級場板，包括：第二介質層，至少覆蓋位于第一多級溝槽內的第一場板金屬層以及第一介質層；第二場板金屬層，覆蓋第二底部區域表面上的至少部分第二介質層。

本發明授權一種半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：外延片，所述外延片包括基底以及位于所述基底表面上的外延層；在第一方向上，所述外延層包括依次排布的有源區和終端區；所述第一方向平行于所述基底所在平面；元胞結構，所述元胞結構位于所述有源區；第一多級溝槽，所述第一多級溝槽具有相對的第一臺階側壁和第二臺階側壁；所述第一臺階側壁與所述元胞結構相鄰；所述第一多級溝槽的底部包括與所述第一臺階側壁相鄰的第一底部區域以及與所述第二臺階側壁相鄰的第二底部區域；第一級場板，所述第一級場板包括：第一介質層，覆蓋所述第一多級溝槽的表面；第一場板金屬層，覆蓋位于所述第一臺階側壁以及所述第一底部區域表面上的所述第一介質層；第二級場板，所述第二級場板包括：第二介質層，至少覆蓋位于所述第一多級溝槽內的所述第一場板金屬層以及所述第一介質層；第二場板金屬層，所述第二場板金屬層覆蓋所述第二底部區域表面上的至少部分所述第二介質層，且與所述第一場板金屬層具有重疊區域；離子注入區，位于所述第一多級溝槽的底部表面內，所述離子注入區的電阻率大于所述外延層的電阻率，或，所述離子注入區能夠集聚電子形成負電中心；所述第一多級溝槽的底部具有多個分離的所述離子注入區；在所述第一多級溝槽的底部，位于所述第一介質層與所述第一場板金屬層的連續層疊區域下方的所述離子注入區具有第一面積占比，位于所述第一介質層、所述第二介質層以及所述第二場板金屬層連續層疊區域下方的所述離子注入區具有第二面積占比，所述第一面積占比大于所述第二面積占比。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區九龍湖街9號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。