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龍圖騰網(wǎng)恭喜福建金石能源有限公司申請(qǐng)的專利適用于PECVD沉積隧穿多晶層工藝的石墨舟飽和方法及應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119433493B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-18發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510046310.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/34；該發(fā)明授權(quán)適用于PECVD沉積隧穿多晶層工藝的石墨舟飽和方法及應(yīng)用是由林朝暉;黃曉狄;張超華;林錦山;楊清霖;俞貴福;陳有鵬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-13向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本適用于PECVD沉積隧穿多晶層工藝的石墨舟飽和方法及應(yīng)用在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于背接觸電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種適用于PECVD沉積隧穿多晶層工藝的石墨舟飽和方法及應(yīng)用，石墨舟飽和方法包括：在石墨舟表面沉積氮化硅膜，之后開啟輝光進(jìn)行氫處理，然后對(duì)所述氫處理后得到的石墨舟沉積氧化硅膜；其中，氮化硅膜的厚度為50?100nm，氧化硅膜的厚度為375?700nm；且所述氫處理的條件包括：控制通入的氫氣流量為10000?20000sccm，功率為6000?10000W，反應(yīng)時(shí)間為600?1800s。本發(fā)明能夠沉積高質(zhì)量的隧穿多晶層，提升鈍化水平，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，解決了石墨舟飽和對(duì)前幾輪鍍膜的影響，提高生產(chǎn)良率，同時(shí)本發(fā)明石墨舟飽和方法，能夠極大縮短石墨舟的酸洗時(shí)間。

本發(fā)明授權(quán)適用于PECVD沉積隧穿多晶層工藝的石墨舟飽和方法及應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種適用于PECVD沉積隧穿多晶層工藝的石墨舟飽和方法，其特征在于，包括：在石墨舟表面沉積氮化硅膜，之后開啟輝光進(jìn)行氫處理，在氮化硅膜表面形成潔凈層，然后對(duì)所述氫處理后得到的石墨舟沉積氧化硅膜；其中，氮化硅膜的厚度為50-100nm，氧化硅膜的厚度為375-700nm；且所述氫處理的條件包括：控制通入的氫氣流量為10000-20000sccm，功率為6000-10000W，反應(yīng)時(shí)間為600-1800s，控制潔凈層的氫含量為1e17cm-3-3e20cm-3。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人福建金石能源有限公司，其通訊地址為：362200 福建省泉州市晉江市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)(五里園)泉源路17號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。