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龍圖騰網恭喜PEP創(chuàng)新私人有限公司申請的專利芯片封裝方法及芯片結構獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110729256B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201910740982.0，技術領域涉及：H01L23/31；該發(fā)明授權芯片封裝方法及芯片結構是由周輝星設計研發(fā)完成，并于2019-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本芯片封裝方法及芯片結構在說明書摘要公布了：本公開提供一種芯片封裝方法及芯片結構，芯片封裝方法包括：提供晶片，在晶片活性面形成保護層；切割分離所述晶片形成裸片；提供金屬結構，所述金屬結構包括至少一個金屬單元；將所述裸片和金屬結構貼裝在載板上；形成塑封層；形成介電層。芯片結構包括：至少一個裸片；保護層；金屬單元，所述金屬單元包括至少一個金屬特征；塑封層，用于包封所述裸片和金屬單元；其中所述芯片結構通過至少一個金屬特征與外部電路進行連接；介電層。利用金屬單元的多個金屬特征取得了不同金屬特征帶來的封裝性能的提高，并且本公開中在晶片活性面形成有保護層，省去了塑封層形成步驟后的絕緣層施加步驟。

本發(fā)明授權芯片封裝方法及芯片結構在權利要求書中公布了：1.一種芯片結構，其特征在于，包括：至少一個裸片；保護層，設置在所述裸片的活性面上；金屬單元，設置在所述裸片的側面且不與所述裸片接觸，所述金屬單元包括至少一個金屬特征，其中所述芯片結構通過至少一個金屬特征與外部電路進行連接；塑封層，用于包封所述裸片和金屬單元；導電結構，所述導電結構包括晶片導電層和面板級導電層，所述晶片導電層設置在所述裸片的活性面上，所述保護層包覆所述晶片導電層且露出所述晶片導電層的表面；所述金屬單元上的至少一個金屬特征通過導電結構與裸片相連；所述晶片導電層包括晶片導電跡線和晶片導電凸柱；至少一部分所述晶片導電跡線和電連接點和或散熱位置連接；所述至少一部分晶片導電凸柱形成于所述晶片導電跡線上；所述面板級導電層形成在保護層表面和塑封層正面，至少一部分所述面板級導電層和晶片導電凸柱連接并和金屬單元連接，所述保護層表面、所述塑封層正面以及所述金屬單元正面齊平；以及介電層，包覆所述面板級導電層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人PEP創(chuàng)新私人有限公司，其通訊地址為：新加坡海軍部8號1層07/10號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。