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龍圖騰網恭喜浙江晶盛光子科技有限公司申請的專利一種P型硅的太陽能電池的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115036398B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210524090.9，技術領域涉及：H10F71/10；該發明授權一種P型硅的太陽能電池的制備方法是由王樹林;曹建偉設計研發完成，并于2022-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種P型硅的太陽能電池的制備方法在說明書摘要公布了：本發明實施例提供了一種P型硅的太陽能電池的制備方法，屬于硅片電池技術領域，包括：對P型硅材質的襯底層清洗、制絨；在清洗并制絨后的襯底層的下端面進行磷擴散；在磷擴散之后，去除磷擴散過程中形成的PSG；在去除PSG之后，對襯底層的上端面和擴散層的下端面進行表面鈍化處理，以形成鈍化層；形成N型非晶硅層；形成P型非晶硅層；在N型非晶硅層和P型非晶硅層之外沉積形成減反射層；印刷形成金屬電極；在印刷金屬電極之后，對半成品電池進行高溫燒結，使得金屬電極和硅形成金屬硅化物；并使得N型非晶硅層和P型非晶硅層轉化為poly?Sin層和poly?Sip層；達到降低電池成本，且避免使用硼擴散工藝的技術效果。

本發明授權一種P型硅的太陽能電池的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種P型硅的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：對P型硅材質的襯底層清洗、制絨；在清洗并制絨后的襯底層的下端面進行磷擴散，以形成擴散層；所述擴散層和襯底層之間構成一PN結，且所述PN結設置在襯底層的背面，遠離入射光；在磷擴散之后，去除磷擴散過程中形成的PSG；在去除PSG之后，對襯底層的上端面和擴散層的下端面進行表面鈍化處理，以形成鈍化層；在位于襯底層下側的鈍化層上進行in-situ摻雜沉積，以形成N型非晶硅層；在位于襯底層上側的鈍化層上進行in-situ摻雜沉積，以形成P型非晶硅層；在N型非晶硅層和P型非晶硅層之外沉積形成減反射層；在N型非晶硅層和P型非晶硅層外的減反射層上印刷形成金屬電極；在印刷金屬電極之后，對半成品電池進行高溫燒結，使得金屬電極和硅形成金屬硅化物；并使得N型非晶硅層和P型非晶硅層轉化為N型多晶硅層和P型多晶硅層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江晶盛光子科技有限公司，其通訊地址為：311100 浙江省杭州市臨平區余杭經濟技術開發區順達路500號1幢105室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。