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龍圖騰網恭喜電子科技大學申請的專利基于SAM-OAM耦合的寬帶低RCS超表面設計方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116259978B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310202857.0，技術領域涉及：H04L27/34；該發明授權基于SAM-OAM耦合的寬帶低RCS超表面設計方法是由陳海燕;劉倩;嚴穎煜;姚鑫;梁迪飛;李健驍;鄧龍江;謝建良;陸海鵬設計研發完成，并于2023-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于SAM-OAM耦合的寬帶低RCS超表面設計方法在說明書摘要公布了：本發明屬于電子材料技術領域，特別涉及一種基于SAM?OAM耦合的寬帶低RCS超表面設計方法。本發明基于幾何相位實現寬帶覆蓋2π相位的M種基本單元，改變電磁波的波前相位，構成形成渦旋超表面；同時由入射的圓極化平面波經過渦旋超表面反射，圓極化入射波攜帶的SAM與渦旋超表面產生的OAM耦合疊加，實現反射電磁波波前相位expilφ的螺旋分布特性和相位奇點。本發明通過超表面反射的渦旋波具有“中心空洞”的特征，這一典型特征由渦旋波的相位奇點所引起，從而反射波中心的電場幅值為零，并且基本單元的寬帶設計，最終實現了兼具寬帶范圍內低RCS特征的超表面結構，在微波領域具有廣闊的發展前景。

本發明授權基于SAM-OAM耦合的寬帶低RCS超表面設計方法在權利要求書中公布了：1.一種基于SAM-OAM耦合的寬帶低RCS超表面設計方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟1、設計在9-22.5GHz頻帶內同反射系數大于0.95的基本單元；同時引入幾何相位得到基本單元覆蓋0～2π的反射相位；所述基本單元的平面形狀是邊長為p的正方形，從下至上依次包括層疊的底層金屬層、中間介質層和頂部金屬圖案層；基本單元的底層金屬層和中間介質層具有相同的物理尺寸，頂部金屬圖案層為極化分形貼片居中堆疊至中間介質層上；頂部金屬圖案層滿足基本單元在9-22.5GHz的同極化反射系數大于0.95；將極化分形貼片旋轉次，進而得到M種基本單元滿足相鄰相位差為基于幾何相位原理使得M種基本單元得到的反射相位實現0°～360°，從而滿足基本單元覆蓋0～2π的反射相位； 其中rll、rrr、rxx、ryy分別是在x極化，y極化，左旋圓極化，右旋圓極化正入射下的共極化反射系數，rlr、rrl、rxy、rxy分別是對應的交叉極化系數，是基本單元的旋轉角；所述底層金屬層和頂部金屬圖案層的金屬均由反射率≥90％的金屬材料構成，中間介質層由介電常數為2.2-2.7的損耗材料構成；步驟2、根據步驟1確定的M種實現渦旋波的基本單元，以整個超表面的中心點為原點均分為M個區域，以確保相鄰兩種基本單元之間的相位梯度滿足360°M或-360°M的關系；并將整個超表面的平面結構劃分為m×n個以矩陣方式排布的基本單元，m≥15，n≥15；步驟3、根據補償相位公式在MATLAB中進行程序設計，建立所設計的M種基本單元的相位和補償相位之間的關聯，并最終得到整個超表面m×n個基本單元的排布位置，進而對所有的基本單元進行排布，得到基于SAM-OAM耦合的寬帶低RCS超表面。

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