買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜深圳市創容新能源有限公司申請的專利一種用于電驅系統的EMI磁環模型建模方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116976265B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310951396.7，技術領域涉及：G06F30/367；該發明授權一種用于電驅系統的EMI磁環模型建模方法是由鄭清明;陳秋伯;賈晉;廖興林;姜建華設計研發完成，并于2023-07-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于電驅系統的EMI磁環模型建模方法在說明書摘要公布了：本發明涉及抑制電磁干擾技術領域，尤其涉及一種用于電驅系統的EMI磁環模型建模方法，包括：步驟S1，建立所述磁環的拓撲結構，中控模塊對磁環阻抗進行計算；步驟S2，所述中控模塊根據磁環阻抗與磁環實際阻抗的差值之和判定磁環拓撲結構的擬合程度是否在允許范圍內；步驟S3，所述中控模塊根據磁環阻抗與磁環實際阻抗的差值之和將RL串并聯網絡級數調節至對應級數，或，根據RL并聯回路的電流對電感的損失程度進行判定；步驟S4，所述中控模塊在根據RL并聯回路的電流二次判定電感的損失程度超出允許范圍時將電感線圈之間的距離調節至對應距離，或，將電感軸線夾角調節至對應角度，本發明實現了磁環在高頻段的濾波性能的提高。

本發明授權一種用于電驅系統的EMI磁環模型建模方法在權利要求書中公布了：1.一種用于電驅系統的EMI磁環模型建模方法，其特征在于，包括：步驟S1，使用阻抗分析儀對初始RL串聯網絡級數的磁環的實際阻抗進行測量，建立所述磁環的拓撲結構，中控模塊根據所述磁環的拓撲結構對磁環阻抗進行計算；步驟S2，對若干測試頻率下的磁環阻抗與磁環實際阻抗的差值之和進行計算，所述中控模塊根據磁環阻抗與磁環實際阻抗的差值之和判定磁環拓撲結構的擬合程度是否在允許范圍內；步驟S3，所述中控模塊在判定磁環拓撲結構的擬合程度低于允許范圍時根據磁環阻抗與磁環實際阻抗的差值之和將RL串并聯網絡級數調節至對應級數，或，根據設置在RL串并聯網絡上的電流傳感器檢測到的RL并聯回路的電流對電感的損失程度進行判定；步驟S4，所述中控模塊在根據RL并聯回路的電流二次判定電感的損失程度超出允許范圍時將電感線圈之間的距離調節至對應距離，或，根據霍爾磁性傳感器檢測到的電感線圈端點位置的磁場強度將電感軸線夾角調節至對應角度；所述中控模塊通過計算若干測試頻率下磁環阻抗與磁環實際阻抗的差值之和對磁環拓撲結構的擬合程度進行判定，其中，所述中控模塊在第一和值條件下和第二和值條件下判定磁環拓撲結構的擬合程度低于允許范圍，其中，所述中控模塊在所述第一和值條件下初步判定電感的損失程度超出允許范圍，并根據RL并聯回路的電流對電感的損失程度進行二次判定；所述中控模塊在所述第二和值條件下判定需調整RL串并聯網絡級數；其中，所述第一和值條件為，磁環阻抗與磁環實際阻抗的差值之和大于預設第一和值且小于等于預設第二和值；所述第二和值條件為，磁環阻抗與磁環實際阻抗的差值之和大于預設第二和值；所述預設第一和值小于所述預設第二和值；所述中控模塊在第一和值條件下根據RL并聯回路的電流對電感的損失程度進行二次判定，其中，所述中控模塊在第一電流條件下和第二電流條件下判定電感的損失程度超出允許范圍，其中，所述中控模塊在所述第一電流條件下初步判定電感線圈之間的端點互感磁通量超出允許范圍，并根據電感線圈端點位置的磁場強度對的電感線圈之間的端點互感磁通量進行二次判定；所述中控模塊在所述第二電流條件下判定需增大電感線圈之間的距離；其中，所述第一電流條件為，RL并聯回路的電流大于預設第一電流值且小于等于預設第二電流值；所述第二電流條件為，RL并聯回路的電流大于預設第二電流值；所述預設第一電流值小于所述預設第二電流值；所述中控模塊在所述第一電流條件下根據電感線圈端點位置的磁場強度對電感線圈之間的端點互感磁通量進行二次判定，其中，所述中控模塊在預設磁場強度條件下二次判定電感線圈之間的端點互感磁通量超出允許范圍，對電感軸線夾角進行調節；其中，所述預設磁場強度條件為，電感線圈端點位置的磁場強度大于預設磁場強度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市創容新能源有限公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市寶安區燕羅街道燕川社區北部工業園研發中心廠房701、601；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。