恭喜南京航空航天大學(xué)姜明明獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜南京航空航天大學(xué)申請的專利一種雙異質(zhì)結(jié)基電泵浦單模激光二極管及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN117394140B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202311319936.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01S5/32;該發(fā)明授權(quán)一種雙異質(zhì)結(jié)基電泵浦單模激光二極管及其制備方法是由姜明明;徐凱;闞彩俠設(shè)計研發(fā)完成,并于2023-10-12向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種雙異質(zhì)結(jié)基電泵浦單模激光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種雙異質(zhì)結(jié)基電泵浦單模激光二極管及其制備方法,該發(fā)明所述雙異質(zhì)結(jié)基電泵浦單模激光二極管包括p?GaN襯底、n?AlGaN襯底、PtNPs@ZnO:Ga復(fù)合微米線、MgO低介電絕緣層、Pt納米薄膜層、NiAu薄膜電極;所述制備方法通過結(jié)合p?GaN襯底和n?AlGaN襯底以及在器件中引入MgO低介電絕緣層和Pt納米薄膜層作為緩沖層,同時利用Pt納米顆粒修飾ZnO微米線,從而筑構(gòu)雙異質(zhì)結(jié)基電泵浦單模激光二極管。相較于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明可以有效限域光場以提高增益和降低界面處的光損耗,提高載流子的注入效率,在正向偏壓下,實現(xiàn)了高品質(zhì)電泵浦單模激光。
本發(fā)明授權(quán)一種雙異質(zhì)結(jié)基電泵浦單模激光二極管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種雙異質(zhì)結(jié)基電泵浦單模激光二極管,其特征在于,包括p-GaN襯底1、n-AlGaN襯底2、與p-GaN襯底1連接的第一NiAu薄膜電極6、與n-AlGaN襯底2連接的第二NiAu薄膜電極7,設(shè)置于p-GaN襯底1表面的MgO低介電絕緣層4、設(shè)置于MgO低介電絕緣層4表面的Pt納米薄膜層5,設(shè)置于Pt納米薄膜層5及n-AlGaN襯底2之間的PtNPs@ZnO:Ga復(fù)合微米線3,該復(fù)合微米線3同時與Pt納米薄膜層5及n-AlGaN襯底2連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人南京航空航天大學(xué),其通訊地址為:210016 江蘇省南京市秦淮區(qū)御道街29號南京航空航天大學(xué);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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