南京航空航天大學姜明明獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉南京航空航天大學申請的專利一種雙異質結基電泵浦單模激光二極管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117394140B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311319936.6，技術領域涉及：H01S5/32；該發明授權一種雙異質結基電泵浦單模激光二極管及其制備方法是由姜明明;徐凱;闞彩俠設計研發完成，并于2023-10-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種雙異質結基電泵浦單模激光二極管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種雙異質結基電泵浦單模激光二極管及其制備方法，該發明所述雙異質結基電泵浦單模激光二極管包括p?GaN襯底、n?AlGaN襯底、PtNPs@ZnO:Ga復合微米線、MgO低介電絕緣層、Pt納米薄膜層、NiAu薄膜電極；所述制備方法通過結合p?GaN襯底和n?AlGaN襯底以及在器件中引入MgO低介電絕緣層和Pt納米薄膜層作為緩沖層，同時利用Pt納米顆粒修飾ZnO微米線，從而筑構雙異質結基電泵浦單模激光二極管。相較于現有技術，本發明可以有效限域光場以提高增益和降低界面處的光損耗，提高載流子的注入效率，在正向偏壓下，實現了高品質電泵浦單模激光。
本發明授權一種雙異質結基電泵浦單模激光二極管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種雙異質結基電泵浦單模激光二極管，其特征在于，包括p-GaN襯底1、n-AlGaN襯底2、與p-GaN襯底1連接的第一NiAu薄膜電極6、與n-AlGaN襯底2連接的第二NiAu薄膜電極7，設置于p-GaN襯底1表面的MgO低介電絕緣層4、設置于MgO低介電絕緣層4表面的Pt納米薄膜層5，設置于Pt納米薄膜層5及n-AlGaN襯底2之間的PtNPs@ZnO:Ga復合微米線3，該復合微米線3同時與Pt納米薄膜層5及n-AlGaN襯底2連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京航空航天大學，其通訊地址為：210016 江蘇省南京市秦淮區御道街29號南京航空航天大學；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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