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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京智芯微電子科技有限公司申請(qǐng)的專利隔離電容器件及其制備方法、多通道隔離芯片以及晶圓獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN118475231B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202410935595.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N97/00；該發(fā)明授權(quán)隔離電容器件及其制備方法、多通道隔離芯片以及晶圓是由郁文;吳波;鄧永峰;李君建;劉芳;陳燕寧;張俊江;曹永萬(wàn);陸珊珊;羅宗蘭設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-07-12向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本隔離電容器件及其制備方法、多通道隔離芯片以及晶圓在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N隔離電容器件及其制備方法、多通道隔離芯片以及晶圓，屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域。所述器件包括襯底，以及第一金屬層，設(shè)置于所述襯底上；介質(zhì)層，設(shè)置于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；第二金屬層，設(shè)置于所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)；且所述第二金屬層的中心在襯底上的正投影與第一金屬層的中心在襯底上的正投影重合，所述第二金屬層的電位高于所述第一金屬層的電位；至少兩個(gè)器件金屬環(huán)組，所述至少兩個(gè)器件金屬環(huán)組在襯底上的正投影與第一金屬層之間的間距沿第一金屬層到第二金屬層方向遞增，所述器件金屬環(huán)組通過(guò)金屬通孔連接后接地，以形成法拉第籠隔離屏蔽所述隔離電容器件受到的外部干擾。

本發(fā)明授權(quán)隔離電容器件及其制備方法、多通道隔離芯片以及晶圓在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種隔離電容器件，包括襯底，其特征在于，所述隔離電容器件還包括：第一金屬層，設(shè)置于所述襯底上；介質(zhì)層，設(shè)置于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；第二金屬層，設(shè)置于所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一側(cè)；且所述第二金屬層的中心在襯底上的正投影與第一金屬層的中心在襯底上的正投影重合，所述第二金屬層的電位高于所述第一金屬層的電位；至少兩個(gè)器件金屬環(huán)組，所述至少兩個(gè)器件金屬環(huán)組在襯底上的正投影與第一金屬層之間的間距沿第一金屬層到第二金屬層方向遞增，所述器件金屬環(huán)組通過(guò)金屬通孔連接后接地，以形成法拉第籠隔離屏蔽所述隔離電容器件受到的外部干擾；所述器件金屬環(huán)組包括至少一個(gè)金屬環(huán)，同一金屬環(huán)組中的金屬環(huán)為同心環(huán)，且通過(guò)金屬線連接；所述器件金屬環(huán)組中的金屬環(huán)數(shù)量沿第一金屬層到第二金屬層方向逐個(gè)器件金屬環(huán)組遞增；所述第一金屬層和第二金屬層在襯底上的正投影為圓形或圓角矩形；所述隔離電容器件還包括：緩沖層，設(shè)置于介質(zhì)層與第二金屬層之間；所述緩沖層的材料為氮化硅或氮氧化硅；所述第一金屬層與第二金屬層之間具有第一間距；設(shè)置于第二金屬層外圍的器件金屬環(huán)組與所述第二金屬層之間具有第二間距，所述第二間距大于或等于第一間距。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人北京智芯微電子科技有限公司，其通訊地址為：100192 北京市海淀區(qū)西小口路66號(hào)中關(guān)村東升科技園A區(qū)3號(hào)樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。