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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安電子科技大學(xué)廣州研究院申請(qǐng)的專利絕緣柵MIS HEMT器件、制備方法、芯片及電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119325270B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-04發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411864587.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)絕緣柵MIS HEMT器件、制備方法、芯片及電子設(shè)備是由李祥東;翟麗荔;張進(jìn)成;郝躍設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-12-18向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本絕緣柵MIS HEMT器件、制備方法、芯片及電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)公開了一種絕緣柵MISHEMT器件、制備方法、芯片及電子設(shè)備，該器件結(jié)構(gòu)包括：襯底層，依次位于襯底層上的成核層、過渡層、緩沖層、溝道層、插入層、勢壘層和C摻雜的C:GaN絕緣層；金屬層，位于絕緣層上；隔離結(jié)構(gòu)，位于HEMT器件的側(cè)壁，其中，隔離結(jié)構(gòu)貫穿于勢壘層、插入層和溝道層，且位于緩沖層上；鈍化層，位于金屬層的和勢壘層的上表面、絕緣層的和金屬層的側(cè)壁；柵極，位于柵極開孔區(qū)域，且貫穿鈍化層至金屬層的上表面；源極和漏極，分別位于柵極的不同側(cè)其中，源極和漏極貫穿于所述鈍化層、勢壘層、插入層和部分溝道層。本申請(qǐng)通過設(shè)置C:GaN絕緣層和高阻緩沖層，使得器件具有較正的閾值電壓，減少器件的柵極漏電，提高了器件的柵極的耐壓特性。

本發(fā)明授權(quán)絕緣柵MIS HEMT器件、制備方法、芯片及電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種絕緣柵MISHEMT器件，其特征在于，包括：襯底層，依次位于所述襯底層上的成核層、過渡層、緩沖層、溝道層、插入層和勢壘層；絕緣層，位于所述勢壘層上，其中，所述絕緣層的材料為：C摻雜的C:GaN，所述絕緣層的厚度范圍為50nm-90nm，所述絕緣層中C元素?fù)诫s濃度為1018cm-3-1020cm-3；金屬層，位于所述絕緣層上；隔離結(jié)構(gòu)，位于所述HEMT器件的側(cè)壁，其中，所述隔離結(jié)構(gòu)貫穿于所述勢壘層、所述插入層和所述溝道層，且位于所述緩沖層上；鈍化層，位于所述金屬層的上表面和所述勢壘層的上表面、所述絕緣層的側(cè)壁和所述金屬層的側(cè)壁；柵極，位于柵極開孔區(qū)域，且貫穿所述鈍化層至所述金屬層的上表面；源極，位于所述柵極的一側(cè)，其中，所述源極貫穿于所述鈍化層、所述勢壘層、所述插入層和部分所述溝道層；漏極，位于所述柵極的另一側(cè)，其中，所述漏極貫穿于所述勢壘層、所述插入層和部分所述溝道層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人西安電子科技大學(xué)廣州研究院，其通訊地址為：510000 廣東省廣州市黃埔區(qū)中新廣州知識(shí)城知明路83號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。