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龍圖騰網恭喜無錫市華辰芯光半導體科技有限公司申請的專利一種半導體激光器及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119447983B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-04發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510033076.2，技術領域涉及：H01S5/16；該發明授權一種半導體激光器及其制備方法是由侯繼達;李明欣;魏明設計研發完成，并于2025-01-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體激光器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體激光器技術領域，公開了一種半導體激光器及其制備方法，半導體激光器包括：外延結構，包括自下而上層疊設置的襯底、緩沖層、下限制層、下波導層、量子阱有源層、上波導層、上限制層和歐姆接觸層；背面電極，形成于襯底遠離緩沖層的一側表面上；外延結構靠近歐姆接觸層的一側刻蝕形成有第一電流注入窗口，第一電流注入窗口蝕刻的終點為歐姆接觸層，第一電流注入窗口的邊緣區域沿第一方向間隔設置多個抑制電流注入結構；正面電極，形成于第一電流注入窗口上和多個抑制電流注入結構上。本發明能夠抵消熱透鏡效應，實現較小的遠場水平發散角，而且能夠使電流注入區的溫度分布均勻，提升半導體激光器的可靠性。

本發明授權一種半導體激光器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器包括：外延結構，包括自下而上層疊設置的襯底、緩沖層、下限制層、下波導層、量子阱有源層、上波導層、上限制層和歐姆接觸層；背面電極，形成于所述襯底遠離所述緩沖層的一側表面上；所述外延結構靠近所述歐姆接觸層的一側蝕刻形成有第一電流注入窗口，所述第一電流注入窗口蝕刻的終點為所述歐姆接觸層，所述第一電流注入窗口的邊緣區域沿第一方向間隔設置多個抑制電流注入結構，所述第一方向為前腔面指向后腔面的方向，相鄰兩個抑制電流注入結構在所述第一方向上的間距為10μm至200μm，第一間距和第二間距的比值為0.5:1至2:1，所述第一間距為相鄰的三個抑制電流注入結構中第一個抑制電流注入結構和第二個抑制電流注入結構在所述第一方向上的間距，所述第二間距為相鄰的三個抑制電流注入結構中第二個抑制電流注入結構和第三個抑制電流注入結構在所述第一方向上的間距；正面電極，形成于所述第一電流注入窗口上和所述多個抑制電流注入結構上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人無錫市華辰芯光半導體科技有限公司，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市新吳區震澤路18-3號射手座A座5樓502室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。