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龍圖騰網(wǎng)恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置及形成其的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN110299343B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201810488311.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/522；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及形成其的方法是由楊政龍;蘇智宏;陳承先;黃宏麟;蔡昆銘;林瑋哲設(shè)計研發(fā)完成，并于2018-05-21向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置及形成其的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明實施例公開半導(dǎo)體裝置及其形成方法。所述半導(dǎo)體裝置中的一種包括第一導(dǎo)電層、有機(jī)層、硅層、磁性層、及第二導(dǎo)電層。所述有機(jī)層設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層之上并暴露出所述第一導(dǎo)電層的一部分。所述硅層設(shè)置在所述有機(jī)層上并接觸所述有機(jī)層。所述磁性層設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層之上。所述第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述有機(jī)層及所述磁性層之上以電連接所述第一導(dǎo)電層。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及形成其的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：第一導(dǎo)電層，包括第一表面；有機(jī)層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層的所述第一表面之上；硅層，設(shè)置在所述有機(jī)層上并接觸所述有機(jī)層，且延伸到所述第一導(dǎo)電層的所述第一表面上并接觸所述第一導(dǎo)電層的所述第一表面；磁性層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層之上；以及第二導(dǎo)電層，設(shè)置在所述有機(jī)層及所述磁性層之上以電連接所述第一導(dǎo)電層,其中所述磁性層位于所述第一導(dǎo)電層及所述第二導(dǎo)電層之間。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。