恭喜日產化學株式會社德永光獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜日產化學株式會社申請的專利使用了環式羰基化合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112166379B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980035022.2，技術領域涉及：G03F7/11；該發明授權使用了環式羰基化合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物是由德永光;緒方裕斗;橋本圭祐;中島誠設計研發完成，并于2019-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本使用了環式羰基化合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物在說明書摘要公布了：提供顯示高蝕刻耐性、良好的干蝕刻速度比和光學常數，對所謂高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能夠形成平坦的膜的抗蝕劑下層膜形成用組合物。此外，提供適合于該抗蝕劑下層膜形成用組合物的聚合物的制造方法、使用了該抗蝕劑下層膜形成用組合物的抗蝕劑下層膜、以及半導體裝置的制造方法。一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：碳原子數6～60的芳香族化合物A、與碳原子數3～60的環式羰基化合物B所具有的羰基的反應生成物；以及溶劑，上述反應生成物中，上述環式羰基化合物B的1個碳原子連接2個上述芳香族化合物A。
本發明授權使用了環式羰基化合物的抗蝕劑下層膜形成用組合物在權利要求書中公布了：1.一種抗蝕劑下層膜形成用組合物，其包含：碳原子數6～60的芳香族化合物A、與碳原子數3～60的環式羰基化合物B所具有的羰基的反應生成物；以及溶劑，所述環式羰基化合物B包含5質量％以上的雜原子，且由下述式1表示， 式中，X為O、NH或CH2，環Y為可以具有下述基團作為取代基、且可以被雜原子中斷的三～八元環、或它們的連接環或稠環，所述基團為：可以經羥基、羰基取代并且可以被氧原子或硫原子中斷的碳原子數1～20的烷基、羥基、氧代基、羧基、氰基、硝基、磺基、碳原子數1～6的酰基、碳原子數1～6的烷氧基、碳原子數1～6的烷氧基羰基、氨基、縮水甘油基、碳原子數2～10的烯基、或碳原子數2～10的炔基，并且所述環式羰基化合物B不包含苯環，所述反應生成物中，所述環式羰基化合物B的1個碳原子連接2個所述芳香族化合物A。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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