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龍圖騰網(wǎng)恭喜中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所申請(qǐng)的專利一種應(yīng)用于P_FLASH型FPGA的配置控制電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114282470B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111470362.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F30/34；該發(fā)明授權(quán)一種應(yīng)用于P_FLASH型FPGA的配置控制電路是由藺旭輝;馬金龍;曹振吉;曹楊;曹常銳;代志雙;張長(zhǎng)勝;曹靚;趙桂林設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-03向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種應(yīng)用于P_FLASH型FPGA的配置控制電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種應(yīng)用于P_FLASH型FPGA的配置控制電路，屬于可編程邏輯器件領(lǐng)域，包括字線電路、位線電路、數(shù)據(jù)讀取電路和數(shù)據(jù)對(duì)比校驗(yàn)電路；字線電路中每根字線柵端水平連接P_FLASH存儲(chǔ)陣列中對(duì)應(yīng)的每一行P_FLASH配置單元的柵端；位線電路中每根位線漏端連接對(duì)應(yīng)的每一列P_FLASH配置單元的漏端，每根位線源端連接對(duì)應(yīng)的每一列FLASH配置單元的源端；數(shù)據(jù)讀取電路包括指定個(gè)數(shù)的數(shù)據(jù)讀取通道，每一個(gè)數(shù)據(jù)讀取通道對(duì)應(yīng)相應(yīng)位的位線通道，能夠?qū)⑴渲脭?shù)據(jù)從P_FLASH配置單元的漏端讀取出來；數(shù)據(jù)對(duì)比校驗(yàn)電路將編程數(shù)據(jù)和從P_FLASH配置單元上讀取的配置數(shù)據(jù)進(jìn)行異或?qū)Ρ刃ｒ?yàn)。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)P_FLASH存儲(chǔ)陣列單元擦除、編程、校驗(yàn)等功能，在各配置指令集和操作電壓下，對(duì)P_FLASH型FPGA各配置階段操作。

本發(fā)明授權(quán)一種應(yīng)用于P_FLASH型FPGA的配置控制電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種應(yīng)用于P_FLASH型FPGA的配置控制電路，用于對(duì)由P_FLASH配置單元組成的P_FLASH存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除、編程、數(shù)據(jù)讀取校驗(yàn)和過擦除，其特征在于，所述配置控制電路包括字線電路、位線電路、數(shù)據(jù)讀取電路和數(shù)據(jù)對(duì)比校驗(yàn)電路；其中，所述字線電路中每根字線柵端水平連接所述P_FLASH存儲(chǔ)陣列中對(duì)應(yīng)的每一行P_FLASH配置單元的柵端；所述位線電路中每根位線漏端連接對(duì)應(yīng)的每一列P_FLASH配置單元的漏端，每根位線源端連接對(duì)應(yīng)的每一列FLASH配置單元的源端；所述數(shù)據(jù)讀取電路包括指定個(gè)數(shù)的數(shù)據(jù)讀取通道，每一個(gè)數(shù)據(jù)讀取通道對(duì)應(yīng)相應(yīng)位的位線通道，能夠?qū)⑴渲脭?shù)據(jù)從P_FLASH配置單元的漏端讀取出來；所述數(shù)據(jù)對(duì)比校驗(yàn)電路將編程數(shù)據(jù)和從P_FLASH配置單元上讀取的配置數(shù)據(jù)進(jìn)行異或?qū)Ρ刃ｒ?yàn)；所述字線電路包括89個(gè)水平字線通道，每個(gè)字線通道中有32根字線，每一根字線對(duì)應(yīng)的字線電路是相同的結(jié)構(gòu)；所述字線電路包括NMOS管N0~N9、PMOS管P0~P10；NMOS管N0的漏端、NMOS管N2的漏端、NMOS管N8的漏端均連接字線柵端WL；NMOS管N5的源端、NMOS管N7的源端、NMOS管N9的源端均連接LV1信號(hào)；NMOS管N0的源端連接NMOS管N1的漏端；NMOS管N1的源端連接地GND；NMOS管N2的源端連接NMOS管N3的漏端；NMOS管N3的源端連接NMOS管N4的漏端；NMOS管N4的源端連接NMOS管N5的漏端；NMOS管N8的源端連接NMOS管N6的漏端、NMOS管N9漏端；NMOS管N6的源端連接NMOS管N7的漏端；PMOS管P0、PMOS管P2、PMOS管P6、PMOS管P9的源端均連接VS_WL信號(hào)；PMOS管P1的漏端、PMOS管P5的漏端都連接字線柵端WL；PMOS管P0的漏端連接PMOS管P1的源端；PMOS管P2的漏端連接P3管的源端；PMOS管P3的漏端連接PMOS管P4的源端；PMOS管P4的漏端連接PMOS管P5的源端；PMOS管P6的漏端連接PMOS管P7的源端；PMOS管P7的漏端連接PMOS管P8的源端；PMOS管P9的漏端連接PMOS管P10的源端；PMOS管P8的漏端、PMOS管P10的漏端連接PMOS管P5的源端；NMOS管N0的柵端連接A1信號(hào)，NMOS管N1的柵端連接A2信號(hào)，NMOS管N2的柵端連接A2N信號(hào)，NMOS管N3的柵端連接A1信號(hào)，NMOS管N4的柵端連接OEN信號(hào)，NMOS管N5的柵端連接A3信號(hào)，NMOS管N6的柵端連接A3N信號(hào)，NMOS管N7的柵端連接A2N信號(hào)，NMOS管N8的柵端連接A1N信號(hào)，NMOS管N9的柵端連接OEP信號(hào)；PMOS管P0的柵端連接A2N信號(hào)，PMOS管P1的柵端連接A1信號(hào)，PMOS管P2的刪端連接OEP信號(hào)，PMOS管P3的柵端連接A3N信號(hào)，PMOS管P4的柵端連接A1N信號(hào)，PMOS管P5的柵端連接A2信號(hào)，PMOS管P6的柵端連接A1N信號(hào)，PMOS管P7的柵端連接A3N信號(hào)，PMOS管P8的柵端連接OEN信號(hào)，PMOS管P9的柵端連接A1N信號(hào)，PMOS管P10的柵端連接A3信號(hào)；所述位線電路包括10個(gè)豎直的位線通道，每個(gè)位線通道中有83根位線，每一根位線對(duì)應(yīng)的位線電路是相同的結(jié)構(gòu)；所述位線電路包括NMOS管N10~N19、PMOS管P11~P14；NMOS管N10的源端、NMOS管N13的源端均連接地GND；NMOS管N10的漏端、NMOS管N12的漏端連接NMOS管N11的源端；NMOS管N12的源端連接LV2信號(hào)；NMOS管N11的漏端、NMOS管N13的漏端連接位線漏端BL；PMOS管P11的源端連接VS_BL信號(hào)，漏端連接位線漏端BL；NMOS管N10的柵端連接A4信號(hào)；NMOS管N11的柵端連接PRG信號(hào)；NMOS管N12的柵端連接A4N信號(hào)；NMOS管N13的柵端連接A5信號(hào)；PMOS管P11的柵端連接ERA信號(hào)；NMOS管N14的柵端連接A7N信號(hào)；NMOS管N15的柵端連接A6信號(hào)；NMOS管N16的柵端連接PRG信號(hào)；NMOS管N17的柵端連接A4信號(hào)；NMOS管N18的柵端連接A4N信號(hào)；NMOS管N19的柵端連接A8信號(hào)；PMOS管P12的柵端連接A6信號(hào)；PMOS管P13的柵端連接A7信號(hào)；PMOS管P14的柵端連接ERA信號(hào)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所，其通訊地址為：214000 江蘇省無錫市濱湖區(qū)惠河路5號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。