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龍圖騰網恭喜電子科技大學;上海麥歌恩微電子股份有限公司申請的專利一種巨磁電阻線性傳感器實現方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114280513B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111560518.7，技術領域涉及：G01R33/09；該發明授權一種巨磁電阻線性傳感器實現方法是由唐曉莉;馬成鑫;姜杰設計研發完成，并于2021-12-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種巨磁電阻線性傳感器實現方法在說明書摘要公布了：一種巨磁電阻線性傳感器實現方法，屬于電子材料與元器件技術領域。首先，在壓電基片的上下表面制備導電層，作為對壓電基片施加電壓的上電極和下電極；然后，在誘導磁場下、采用薄膜沉積工藝在上電極表面依次沉積第一隔離層、反鐵磁層、第二鐵磁層、第二隔離層、第一鐵磁層和保護層；最后，在壓電基片的上下電極施加電壓，使反鐵磁層的磁矩轉動，并帶動第二鐵磁層的磁矩共同轉動，則第一鐵磁層和第二鐵磁層的磁矩呈現夾角，完成巨磁電阻線性傳感器的制備。本發明巨磁電阻線性傳感器實現方法，具有結構簡單、工藝難度低、低功耗等優點。

本發明授權一種巨磁電阻線性傳感器實現方法在權利要求書中公布了：1.一種巨磁電阻線性傳感器實現方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟1、以壓電基片作為巨磁電阻線性傳感器的基片，在壓電基片的上下表面制備導電層，作為對壓電基片施加電壓的上電極和下電極，得到帶上下電極的壓電基片；步驟2、在誘導磁場下、采用薄膜沉積工藝在上電極表面依次沉積第一隔離層、反鐵磁層、第二鐵磁層、第二隔離層和第一鐵磁層；步驟3、在步驟2得到的第一鐵磁層上沉積保護層；步驟4、在壓電基片的上下電極施加電壓，使反鐵磁層的磁矩轉動，并帶動第二鐵磁層的磁矩共同轉動，則第一鐵磁層和第二鐵磁層的磁矩呈現夾角，完成巨磁電阻線性傳感器的制備；所述第一鐵磁層和第二鐵磁層為磁致伸縮系數不為0的材料或磁致伸縮系數為0的材料；當第一鐵磁層和第二鐵磁層為磁致伸縮系數為0的材料時，所述第一隔離層去掉；當第一鐵磁層和第二鐵磁層為磁致伸縮系數不為0的材料時，所述第一隔離層的厚度需確保應力傳遞至反鐵磁層而不到達第二鐵磁層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學;上海麥歌恩微電子股份有限公司，其通訊地址為：611731 四川省成都市高新區(西區)西源大道2006號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。