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恭喜上海晶岳電子有限公司趙志獲國家專利權(quán)

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龍圖騰網(wǎng)恭喜上海晶岳電子有限公司申請的專利一種絕緣柵雙極型晶體管功能失效檢測方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114998241B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為:202210586064.9,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G06T7/00;該發(fā)明授權(quán)一種絕緣柵雙極型晶體管功能失效檢測方法及系統(tǒng)是由趙志設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2022-05-27向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

一種絕緣柵雙極型晶體管功能失效檢測方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了:本申請涉及一種絕緣柵雙極型晶體管功能失效檢測方法及系統(tǒng),依次通過獲取當(dāng)前待檢測晶體管的當(dāng)前實(shí)際外部圖像,生成色彩增強(qiáng)轉(zhuǎn)化圖像;若判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管的外部形態(tài)存在形態(tài)功能失效,則生成功能失效指示;若判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管的外部形態(tài)不存在形態(tài)功能失效,則在將所述當(dāng)前待檢測晶體管安裝于預(yù)設(shè)特定位置后,獲取所述當(dāng)前待檢測晶體管的當(dāng)前晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)排布數(shù)據(jù);判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管是否存在內(nèi)部功能缺陷,若判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管存在內(nèi)部功能缺陷,則生成功能失效提示。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)極大提升了檢測效率和檢測的準(zhǔn)確性,極大滿足用戶的使用需求。

本發(fā)明授權(quán)一種絕緣柵雙極型晶體管功能失效檢測方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了:1.一種絕緣柵雙極型晶體管功能失效檢測方法,其特征在于,所述方法包括:基于預(yù)設(shè)的圖像檢測裝置,獲取當(dāng)前待檢測晶體管的當(dāng)前實(shí)際外部圖像,并對所述當(dāng)前實(shí)際外部圖像進(jìn)行色彩增強(qiáng)轉(zhuǎn)化處理,并生成色彩增強(qiáng)轉(zhuǎn)化圖像;根據(jù)所述色彩增強(qiáng)轉(zhuǎn)化圖像判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管的外部形態(tài)是否存在形態(tài)功能失效,若判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管的外部形態(tài)存在形態(tài)功能失效,則生成功能失效指示;若判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管的外部形態(tài)不存在形態(tài)功能失效,則在將所述當(dāng)前待檢測晶體管安裝于預(yù)設(shè)特定位置后,基于預(yù)設(shè)的晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)探測裝置獲取所述當(dāng)前待檢測晶體管的當(dāng)前晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)排布數(shù)據(jù);根據(jù)所述當(dāng)前晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)排布數(shù)據(jù)判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管是否存在內(nèi)部功能缺陷,若判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管存在內(nèi)部功能缺陷,則生成功能失效提示,并基于預(yù)設(shè)的晶體管搬運(yùn)機(jī)構(gòu)將存在內(nèi)部功能缺陷的當(dāng)前待檢測晶體管搬運(yùn)至功能缺陷區(qū)域;所述當(dāng)前實(shí)際外部圖像包括外表面實(shí)際圖像和引腳連接處實(shí)際圖像;所述色彩增強(qiáng)轉(zhuǎn)化圖像包括當(dāng)前校準(zhǔn)后整體加強(qiáng)圖像和當(dāng)前校準(zhǔn)后連接處加強(qiáng)圖像;基于預(yù)設(shè)的圖像檢測裝置,獲取當(dāng)前待檢測晶體管的當(dāng)前實(shí)際外部圖像,并對所述當(dāng)前實(shí)際外部圖像進(jìn)行色彩增強(qiáng)轉(zhuǎn)化處理,并生成色彩增強(qiáng)轉(zhuǎn)化圖像,具體包括:基于預(yù)設(shè)的圖像驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述圖像檢測裝置對所述當(dāng)前待檢測晶體管進(jìn)行多角度圖像檢測,并獲取外表面實(shí)際圖像和引腳連接處實(shí)際圖像;將所述外表面實(shí)際圖像和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)整體圖像進(jìn)行比對,并提取當(dāng)前整體比對損壞點(diǎn),同時(shí)將所述引腳連接處實(shí)際圖像與標(biāo)準(zhǔn)引腳連接圖像對比,并提取引腳連接損壞點(diǎn);對所述外表面實(shí)際圖像進(jìn)行第一色彩加強(qiáng)處理,并生成整體外表加強(qiáng)圖像,同時(shí)對所述引腳連接處實(shí)際圖像進(jìn)行第一色彩加強(qiáng)處理,并生成引腳連接處加強(qiáng)圖像;提取所述整體外表加強(qiáng)圖像中的損壞點(diǎn),并生成加強(qiáng)圖像損壞點(diǎn);提取所述引腳連接處加強(qiáng)圖像中的損壞點(diǎn),并生成加強(qiáng)圖像連接處損壞點(diǎn);將所述當(dāng)前整體比對損壞點(diǎn)與所述加強(qiáng)圖像損壞點(diǎn)對比,并生成確定整體損壞點(diǎn),根據(jù)所述確定整體損壞點(diǎn)對所述整體外表加強(qiáng)圖像校準(zhǔn),并在校準(zhǔn)后生成當(dāng)前校準(zhǔn)后整體加強(qiáng)圖像;將所述引腳連接損壞點(diǎn)與所述加強(qiáng)圖像連接處損壞點(diǎn)對比,并生成連接處確定損壞點(diǎn),根據(jù)所述連接處確定損壞點(diǎn)對所述引腳連接處加強(qiáng)圖像進(jìn)行校準(zhǔn),并在校準(zhǔn)后生成當(dāng)前校準(zhǔn)后連接處加強(qiáng)圖像;所述晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)探測裝置包括探測信號(hào)發(fā)送模塊和探測信號(hào)接收模塊;若判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管的外部形態(tài)不存在形態(tài)功能失效,則在將所述當(dāng)前待檢測晶體管安裝于預(yù)設(shè)特定位置后,基于預(yù)設(shè)的晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)探測裝置獲取所述當(dāng)前待檢測晶體管的當(dāng)前晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)排布數(shù)據(jù);具體包括:若判斷所述當(dāng)前待檢測晶體管的外部形態(tài)不存在形態(tài)功能失效,則在將所述當(dāng)前待檢測晶體管安裝于預(yù)設(shè)特定位置后,根據(jù)所述預(yù)設(shè)特定位置獲取起始探測點(diǎn);根據(jù)所述起始探測點(diǎn)和預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)間隔距離生成等間隔探測點(diǎn);基于所述探測信號(hào)發(fā)送模塊自所述起始探測點(diǎn)后起,依次在各所述等間隔探測點(diǎn)的前側(cè)朝向所述等間隔探測點(diǎn)發(fā)射初始探測信號(hào);基于所述探測信號(hào)接收模塊在各所述等間隔探測點(diǎn)的后側(cè)接收所述初始探測信號(hào)經(jīng)所述當(dāng)前待檢測晶體管后的初始穿透信號(hào);基于所述探測信號(hào)發(fā)送模塊獲取所述探測信號(hào)發(fā)送模塊接收到所述初始探測信號(hào)經(jīng)所述當(dāng)前待檢測晶體管中的金屬引腳反彈后的初始反彈信號(hào);根據(jù)各所述初始穿透信號(hào)和各所述初始反彈信號(hào)生成所述當(dāng)前待檢測晶體管的當(dāng)前晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)排布數(shù)據(jù)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人上海晶岳電子有限公司,其通訊地址為:200241 上海市閔行區(qū)紫星路588號(hào)2幢3樓328室;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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