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龍圖騰網恭喜海南大學申請的專利一種基于PCN-224量子點修飾鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115000312B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210653383.7，技術領域涉及：H10K71/00；該發明授權一種基于PCN-224量子點修飾鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法是由劉濤;劉胤江;郭茜;候美晨;王寧設計研發完成，并于2022-06-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于PCN-224量子點修飾鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于PCN?224QDs修飾鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，包括基底、電子傳輸層的制備、PCN?224QDs修飾鈣鈦礦吸光層的制備、PCN?224QDs修飾空穴傳輸層的制備和金電極的制備，其中冷凍干燥得到PCN?224QDs，分別摻雜在鈣鈦礦反溶劑和空穴傳輸層中，以制備高效且穩定的鈣鈦礦太陽能電池。PCN?224QDs的N、O原子可作路易斯堿與鈣鈦礦薄膜中的路易斯酸Pb2+進行路易斯酸堿配位，從而使得鈣鈦礦晶粒尺寸明顯增大并降低了缺陷態密度。PCN?224QDs摻雜進Spiro?OMeTAD前驅體溶液中制備空穴傳輸層。由于PCN?224QDs有序的空間結構和其結構中存在的N、O活性位點，可以共同限制Li+的遷移，減少其團聚效應，從而避免空穴傳輸層孔洞的形成，減緩了水汽的滲入，顯著改善電池的能量轉換效率及耐濕氣能力。

本發明授權一種基于PCN-224量子點修飾鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于PCN-224QDs修飾的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：1透明FTO導電玻璃作為基底，2電子傳輸層的制備，所述電子傳輸層包括二氧化鈦致密電子傳輸層和二氧化鈦介孔電子傳輸層，3PCN-224QDs修飾鈣鈦礦吸光層的制備，4PCN-224QDs修飾空穴傳輸層的制備，5金電極的制備；基底、電子傳輸層、吸光層和空穴傳輸層依次通過旋涂方式連接；其中：所述步驟3的制備步驟如下：a、將100mgTCPP、300mgZrOCl2·8H2O、2.8gBA溶于100mLDMF中，在90℃下攪拌4-5h，將得到的PCN-224納米MOFs，進行18000rpm離心30min，并用DMF洗滌兩次以上；b、接著將收集的PCN-224納米MOFs置于真空烘箱中，得到PCN-224納米MOFs粉末，在室溫下將100mgPCN-224納米MOFs溶解于100mL的超純水中后采用功率為200W的細胞破碎超聲儀器處理5-6h得到含PCN-224QDs的懸浮液；c、最后通過12000rpm離心20min收集上清液中的PCN-224QDs，用超純水透析洗滌后凍干，備用；d、利用反溶劑滴定法在電子傳輸層上滴入鈣鈦礦前驅體溶液高速旋涂，在旋涂過程中滴定備用的含有6-10mgmLPCN-224QDs的氯苯反溶劑溶液，反溶劑滴定時間倒數為10-15s，后加熱退火獲得鈣鈦礦吸光層；所述步驟4的制備步驟如下：將含有2-6mgmLPCN-224QDs的空穴傳輸層前驅體溶液，旋涂到鈣鈦礦吸光層表面，得到PCN-224QDs修飾空穴傳輸層。

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