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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京航空航天大學申請的專利基于磁旋邏輯隧道結的算術邏輯緩存單元及其存儲方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115223612B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210861513.6，技術領域涉及：G11C11/16；該發(fā)明授權基于磁旋邏輯隧道結的算術邏輯緩存單元及其存儲方法是由張昆;黃炎;楊晴;陳磊;趙巍勝;張悅設計研發(fā)完成，并于2022-07-20向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本基于磁旋邏輯隧道結的算術邏輯緩存單元及其存儲方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種基于磁旋邏輯隧道結的算術邏輯緩存單元及其存儲方法，包括MESO和MTJ；水平橋接的MESO包括第一互聯(lián)電極，第一互聯(lián)電極上設有多鐵層，第一鐵磁層的一端位于多鐵層上方，另一端下方依次為自旋注入層、自旋電荷轉換層，自旋電荷轉換層側邊為第二互聯(lián)電極；垂直橋接的MESO包括第一互聯(lián)電極，第一互聯(lián)電極上設有多鐵層，多鐵層上方依次為第一鐵磁層、自旋注入層、自旋電荷轉換層，自旋電荷轉換層側邊為第二互聯(lián)電極；MTJ包括核心區(qū)和電極；核心區(qū)包括第一鐵磁、隧穿勢壘層、第二鐵磁層，電極包括：第三互聯(lián)電極為頂電極，自旋注入層、自旋電荷轉換層、第二互聯(lián)電極共同構成底電極。本發(fā)明實現(xiàn)了ALU和Cache的一體化，即算術邏輯存儲單元ALCU。

本發(fā)明授權基于磁旋邏輯隧道結的算術邏輯緩存單元及其存儲方法在權利要求書中公布了：1.一種基于磁旋邏輯隧道結的算術邏輯緩存單元，其特征在于，包括一個磁旋邏輯器件MESO一個磁隧道結MTJ，MESO包含水平橋接或垂直橋接；水平橋接的MESO包括第一互聯(lián)電極1，第一互聯(lián)電極1上設有多鐵層2，第一鐵磁層3的一端位于多鐵層2上方，另一端下方依次為自旋注入層4、自旋電荷轉換層5，自旋電荷轉換層5側邊為第二互聯(lián)電極6；垂直橋接的MESO包括第一互聯(lián)電極1，第一互聯(lián)電極1上設有多鐵層2，多鐵層2上方依次為第一鐵磁層3、自旋注入層4、自旋電荷轉換層5，自旋電荷轉換層5側邊為第二互聯(lián)電極6；MTJ包括核心區(qū)和電極；核心區(qū)包括第一鐵磁層3，第一鐵磁層3上依次為隧穿勢壘層7、第二鐵磁層8；電極包括頂電極和底電極；頂電極包括第二鐵磁層8上方的第三互聯(lián)電極9，底電極包括第一鐵磁層3一側的自旋注入層4、自旋電荷轉換層5、和自旋電荷轉換層5緊鄰的第二互聯(lián)電極6；在水平橋接的算術邏輯緩存單元中，底電極位于第一鐵磁層3的下方，在垂直橋接的算術邏輯緩存單元中，底電極位于第一鐵磁層3的上方；借助MESO完成數(shù)據(jù)的運算，數(shù)據(jù)原位存儲在MTJ中，從而利用單器件實現(xiàn)了算術邏輯單元ALU和緩存Cache的功能。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人北京航空航天大學，其通訊地址為：100089 北京市海淀區(qū)學院路37號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。