恭喜哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)肖淑敏獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)申請的專利一種傾斜微納結(jié)構(gòu)的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN115403002B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-04-01發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202210982168.1,技術(shù)領(lǐng)域涉及:B81C1/00;該發(fā)明授權(quán)一種傾斜微納結(jié)構(gòu)的制備方法是由肖淑敏;劉怡麟;王雨杰;宋清海設(shè)計研發(fā)完成,并于2022-08-16向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種傾斜微納結(jié)構(gòu)的制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供了一種傾斜微納結(jié)構(gòu)的制備方法,其包括如下步驟:步驟S1,在基底上制備待刻蝕材料膜層;步驟S2,在待刻蝕材料膜層上制備圖案化掩模層;步驟S3,將步驟S2制備了圖案化掩模層的樣品放在槽型載件的斜面上,將槽型載件放置于干法刻蝕機(jī)臺腔體的下電極上,斜面朝上,進(jìn)行刻蝕;所述槽型載件內(nèi),斜面與水平面的夾角為5°?70°,所述槽型載件的開口上覆蓋金屬隔離網(wǎng);步驟S4,移除殘余的掩模層。采用本發(fā)明的技術(shù)方案的刻蝕方法,能夠使微納結(jié)構(gòu)傾斜角在5?70度可控,精細(xì)控制的傾斜角度能夠大大減小所設(shè)計微納結(jié)構(gòu)的制備誤差。而且不受材料限制,適用與多種不同介質(zhì)材料。
本發(fā)明授權(quán)一種傾斜微納結(jié)構(gòu)的制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種傾斜微納結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于:其包括如下步驟:步驟S1,在基底上制備待刻蝕材料膜層;所述刻蝕材料膜層的材料為二氧化鈦;步驟S2,在待刻蝕材料膜層上制備圖案化掩模層;步驟S3,將步驟S2制備了圖案化掩模層的樣品放在槽型載件的斜面上,將槽型載件放置于干法刻蝕機(jī)臺腔體的下電極上,斜面朝上,進(jìn)行刻蝕;所述槽型載件內(nèi),斜面與水平面的夾角為5°-70°,所述槽型載件的開口上覆蓋金屬隔離網(wǎng);步驟S4,移除殘余的掩模層;步驟S3在刻蝕過程中,通入氬氣,所述氬氣的流量為1sccm-40sccm;步驟S3中,所述干法刻蝕機(jī)臺的射頻源功率為50W-400W。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳),其通訊地址為:518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街道深圳大學(xué)城哈爾濱工業(yè)大學(xué)校區(qū);或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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