恭喜哈爾濱工業大學(深圳)肖淑敏獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜哈爾濱工業大學(深圳)申請的專利一種傾斜微納結構的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115403002B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210982168.1，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種傾斜微納結構的制備方法是由肖淑敏;劉怡麟;王雨杰;宋清海設計研發完成，并于2022-08-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種傾斜微納結構的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種傾斜微納結構的制備方法，其包括如下步驟：步驟S1，在基底上制備待刻蝕材料膜層；步驟S2，在待刻蝕材料膜層上制備圖案化掩模層；步驟S3，將步驟S2制備了圖案化掩模層的樣品放在槽型載件的斜面上，將槽型載件放置于干法刻蝕機臺腔體的下電極上，斜面朝上，進行刻蝕；所述槽型載件內，斜面與水平面的夾角為5°?70°，所述槽型載件的開口上覆蓋金屬隔離網；步驟S4，移除殘余的掩模層。采用本發明的技術方案的刻蝕方法，能夠使微納結構傾斜角在5?70度可控，精細控制的傾斜角度能夠大大減小所設計微納結構的制備誤差。而且不受材料限制，適用與多種不同介質材料。
本發明授權一種傾斜微納結構的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種傾斜微納結構的制備方法，其特征在于：其包括如下步驟：步驟S1，在基底上制備待刻蝕材料膜層；所述刻蝕材料膜層的材料為二氧化鈦；步驟S2，在待刻蝕材料膜層上制備圖案化掩模層；步驟S3，將步驟S2制備了圖案化掩模層的樣品放在槽型載件的斜面上，將槽型載件放置于干法刻蝕機臺腔體的下電極上，斜面朝上，進行刻蝕；所述槽型載件內，斜面與水平面的夾角為5°-70°，所述槽型載件的開口上覆蓋金屬隔離網；步驟S4，移除殘余的掩模層；步驟S3在刻蝕過程中，通入氬氣，所述氬氣的流量為1sccm-40sccm；步驟S3中，所述干法刻蝕機臺的射頻源功率為50W-400W。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人哈爾濱工業大學(深圳)，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市南山區桃源街道深圳大學城哈爾濱工業大學校區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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