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龍圖騰網獲悉大連理工大學申請的專利一種1,4-二噻烷及其衍生物修飾鈣鈦礦薄膜制備太陽能電池的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116056475B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-04-01發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310151851.5，技術領域涉及：H10K30/88；該發明授權一種1,4-二噻烷及其衍生物修飾鈣鈦礦薄膜制備太陽能電池的方法是由于澤;遲翼設計研發完成，并于2023-02-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種1,4-二噻烷及其衍生物修飾鈣鈦礦薄膜制備太陽能電池的方法在說明書摘要公布了：一種1,4?二噻烷及其衍生物修飾鈣鈦礦薄膜制備太陽能電池的方法，其屬于鈣鈦礦太陽能電池的技術領域。該方法引入一種有機物1,4?二噻烷及其衍生物作為鈣鈦礦層修飾材料，通過將1,4?二噻烷及其衍生物添入鈣鈦礦前驅液并將1,4?二噻烷及其衍生物溶液旋涂在摻雜的鈣鈦礦吸光層上制備得到修飾的鈣鈦礦層。1,4?二噻烷及其衍生物引入到鈣鈦礦層上后能夠有效的鈍化鉛位點缺陷，限制電荷傳輸過程中的非輻射復合，同時利用1,4?二噻烷及其衍生物的疏水性穩定鈣鈦礦相。本方法能夠有效的減少鈣鈦礦缺陷造成的電池效率損失，得到穩定高效的鈣鈦礦太陽能電池。

本發明授權一種1,4-二噻烷及其衍生物修飾鈣鈦礦薄膜制備太陽能電池的方法在權利要求書中公布了：1.一種1,4-二噻烷及其衍生物修飾鈣鈦礦層的方法，其特征在于：所述鈣鈦礦層為鈣鈦礦太陽能電池的一層，鈣鈦礦層為CsxFA,MA1?xPbI3?yBry或全無機鈣鈦礦CsPbIzBr3-z中的一種，其中FA為CHNH22+，MA為CH3NH3+，0≤x＜0.1，0≤y＜0.6，0≤z≤3；該方法采用1,4-二噻烷修飾物鈍化鈣鈦礦表面及體相的鉛位點缺陷，在鈣鈦礦表面及晶界形成鈍化，得到表面及體相修飾的鈣鈦礦層：該方法的具體步驟為：（1）將1,4-二噻烷修飾物加入到鈣鈦礦前驅液中，將前驅液旋涂退火形成摻雜的鈣鈦礦層；1,4-二噻烷修飾物與鈣鈦礦前驅液的比例為（0.1-10）mg：1mL；所述1,4-二噻烷修飾物的結構式為： ；（2）將1,4-二噻烷修飾物溶液旋涂于摻雜的鈣鈦礦層上，旋涂工藝為4000rpm，旋涂時間為20s，即得到修飾的鈣鈦礦層；所述1,4-二噻烷修飾物溶液濃度為1-5mgmL-1，溶液采用的溶劑為異丙醇、乙醇或乙酸乙酯；所述鈣鈦礦層為CsxFA,MA1?xPbI3?yBry時，其前驅液中碘化鉛：甲脒基碘化胺：溴化鉛：甲基溴化胺：碘化銫的摩爾比為1-1.5:1-1.5:0-0.5:0-0.5:0-0.1；所述鈣鈦礦層為CsPbIzBr3-z時，其前驅液中碘化鉛：溴化鉛：碘化銫：溴化銫的摩爾比為0-3:0-3:0-3:0-3，且碘化鉛與溴化鉛的比例不能同時為零，碘化銫與溴化銫的比例不能同時為零。

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